SiC MOSFET 및 게이트 드라이버 IC, 주행 거리 연장 및 시스템 소형화에 기여
로옴(ROHM) 주식회사의 제4세대 SiC MOSFET 및 게이트 드라이버 IC가 일본 자동차 부품 메이커 히타치 아스테모(Hitachi Astemo)의 전기자동차용 인버터에 채용되었다.
자동차의 전동화를 위해 고효율 소형 경량화 전동 파워 트레인 시스템 개발이 추진되고 있는 가운데, 전기자동차(EV)는 주행 거리 연장 및 탑재 배터리의 소형화를 위한 인버터의 고효율화가 중요시되어, 특히 SiC 파워 디바이스가 크게 주목받고 있다.
로옴은 2010년에 세계 최초로 SiC MOSFET의 양산을 개시한 이래, 끊임없이 업계를 리드하는 SiC 파워 디바이스의 기술 개발을 추진해 왔다. 그 중에서 최신 제4세대 SiC MOSFET는 단락 내량 시간을 개선하여, 업계 최고 수준의 낮은 ON 저항을 실현한 디바이스다. 차량용 인버터에 탑재하는 경우, IGBT 대비 6%의 전비를 개선(국제 규격 'WLTC 연비 시험' 산출 시)할 수 있는 등 전동차의 주행 거리 연장 등에 크게 기여한다.
히타치 아스테모는 장기간에 걸쳐 자동차용 모터 및 인버터의 첨단 기술 개발을 추진하고 있으며 보급이 가속화되는 EV용으로도 이미 많은 공급 실적을 보유하고 있다. 이번에 인버터의 한차원 높은 성능 향상을 목표로, 메인 인버터 회로부에 처음으로 SiC 파워 디바이스를 채용했다. 이 인버터는 일본 자동차 메이커를 시작으로 2025년부터 일본 국내외 자동차 메이커에 순차적으로 공급될 예정이다.
로옴은 SiC 파워 디바이스의 리딩 컴퍼니로서 라인업을 강화함과 동시에, 디바이스 성능을 최대화시키는 제어 IC 등 주변 디바이스 기술을 조합하여, 자동차의 기술 혁신에 기여하는 파워 솔루션을 제공해 나갈 것이라고 밝혔다.
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