로옴(ROHM) 주식회사는 서버 및 AC 어댑터 등 폭넓은 전원 시스템에 최적인 650V 내압 GaN HEMT의 양산을 개시했다.
신제품(GNP1070TC-Z, GNP1150TCA-Z)은 델타 전자(Delta Electronics)의 관계 회사로서 GaN 디바이스의 개발 등을 실시하는 Ancora Semiconductors와 공동으로 개발, 650V GaN HEMT의 디바이스 성능 지수(RDS(ON)×Ciss / RDS(ON)×Coss)에서 업계 최고 수준을 실현했다고 업체 측은 밝혔다.
이에 따라 스위칭 손실을 크게 삭감할 수 있어, 전원 시스템의 고효율화가 가능해진다. 또한, ESD 보호 소자를 내장함으로써 정전 파괴 내량이 3.5kV까지 향상되어, 어플리케이션의 고신뢰화에 기여한다. 그리고, GaN HEMT의 특징을 활용한 고속 스위칭 동작으로 주변 부품의 소형화에도 기여한다.
신제품은 2023년 4월부터 양산을 개시(샘플 가격 5,000엔/개)했고, Chip 1 Stop, CoreStaff 등 온라인 부품 유통 사이트에서 구입이 가능하다.
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