로옴(ROHM) 주식회사의 제3세대 SiC 쇼트키 배리어 다이오드(이하, SBD)가 일본 무라타 제작소 그룹의 Murata Power Solutions에 채용되었다.

고속 스위칭을 실현하는 로옴의 SiC SBD (SCS308AH)는 Murata Power Solutions의 데이터 센터용 전원 유닛 D1U 시리즈에 탑재되어, 어플리케이션의 성능 향상과 소형화에 기여한다.
통신을 관리하는 데이터 센터에서는 서버의 소형화 및 고효율화가 과제로 중요시되어, 전원부의 소형 및 고효율화에 기여하는 SiC 파워 디바이스가 크게 주목받고 있다.

Murata Power Solutions의 Dr. Longcheng Tan(수석 전기 엔지니어 및 프로젝트 리더)는 "SiC 파워 디바이스를 탑재함으로써, 한층 더 고효율의 전력 밀도가 높은 전원을 개발할 수 있습니다. 또한, SiC 파워 디바이스는 스위칭 주파수를 높일 수 있어, 수동부품 및 히트싱크의 체적을 줄일 수 있습니다"라고 말했다.

또한, "무라타 제작소 그룹에는 SiC 디바이스의 벤더 및 제품을 평가하기 위한 전문 부서도 있습니다. 당사가 로옴을 선택한 이유는, 고신뢰성 제품과 더불어 신속한 서포트 체제로 프로토타이핑 단계부터 샘플을 입수할 수 있었기 때문입니다. 그리고, 개발중인 3상 인버터에도 로옴의 SiC MOSFET를 탑재하여, 그 성능에도 만족하고 있기 때문입니다"라고 밝혔다.


로옴 세미컨덕터 U.S.A.,LLC의 Jay Barrus 대표는 "전원 시스템을 비롯한 산업기기 분야에서 업계를 견인하는 Murata Power Solutions를 서포트할 수 있게 되어 매우 기쁘게 생각합니다"라며, "로옴은 SiC 파워 디바이스의 리딩 컴퍼니로서, 업계를 리드하는 디바이스 기술과 구동 IC 등을 조합한 파워 솔루션의 제공 실적을 보유하고 있습니다. Murata Power Solutions와 함께 산업 및 데이터 인프라용 SiC 기술을 최대한으로 발휘시킴으로써, 전원 시스템의 에너지 효율을 한층 더 향상시켜 나가고자 합니다"라고 말했다. 

Murata Power Solutions의 AC-DC 전원 1U 프론트엔드 시리즈는, 고효율의 역률 개선형 프론트엔드 전원 유닛 D1U54P-W-2000-12-HB3C 및 D1U54P-W-1200-12-HC4PC 등을 라인업으로 구비하여, 여러 개의 전원 유닛을 병렬로 동작시킬 수 있다.

또한, 1U 프론트엔드 시리즈는 핫플러그에 대응하여 고온, 과전류, 과전압 등의 검출과 보호가 가능하다. 서버, 워크 스테이션, 스토리지 시스템, 기타 12V 전원 시스템에 고신뢰성과 고효율의 전력을 공급할 수 있을 뿐만 아니라, 박형의 1U 사이즈이므로 시스템 면적 삭감에도 기여한다.