온세미는 글로벌 모션 테크놀로지 기업인 셰플러(Schaeffler)와의 협력을 확대한다고 발표했다. 이번 협력 확대는 온세미의 차세대 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 제품군인 엘리트 실리콘 카바이드(EliteSiC)를 활용하는 새로운 디자인 윈(design win)을 기반으로 한다.

온세미는 스토니브룩대학교(Stony Brook University)와 함께 800만 달러를 투자해 와이드 밴드갭 연구 센터를 설립한다고 발표했다. 이를 통해 온세미는 전력 반도체를 혁신적으로 발전시키고 이 분야의 차세대 전문 인력을 양성할 계획이다.

아이디얼세미컨덕터는 독자 아키텍처 ‘SuperQ’를 기반으로 150V·200V MOSFET 양산에 돌입했다. 비용과 손실을 모두 낮춘 기술로, SiC·GaN을 대체할 새로운 선택지를 제시한다.

마이크로칩테크놀로지(아시아 총괄 및 한국대표 한병돈)는 전력 관리 및 스마트 친환경 솔루션 분야의 글로벌 기업 델타 일렉트로닉스(Delta Electronics, 이하 델타)와 파트너십 협약을 체결했다고 발표했다. 이번 협약은 양사간의 시너지 효과로 더욱 지속적인 발전이 가능한 미래를 앞당기기 위해 체결한 것으로, ...

넥스페리아(Nexperia)가 지속적으로 확장되고 있는 전력 전자 부품 포트폴리오에 2개의 1200V 20A 실리콘 카바이드(SiC) 쇼트키 다이오드를 추가했다고 발표했다.?PSC20120J 및 PSC20120L은 산업용 기기 분야에서 고효율 에너지 변환을 가능하게 하는 초저전력 손실 정류기에 대한 수요를 해결하도록 설계되었다.

인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 확장 가능한 300mm 웨이퍼 기반의 GaN(갈륨 나이트라이드) 생산이 순조롭게 진행되고 있다고 밝혔다. 2025년 4분기에 고객들에게 첫 샘플을 제공하면서 인피니언은 고객 기반을 확대하고 선도적인 GaN 기업으로서의 입지를 강화할 것이다.

로옴(ROHM) 주식회사 의 제4세대 SiC MOSFET 베어칩을 탑재한 파워 모듈이, 토요타 자동차 주식회사(이하, 토요타)의 중국 시장용 신형 크로스오버 BEV? (bZ5)의 트랙션 인버터에 채용되었다.

인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 리비안(Rivian)의 R2 플랫폼에 트랙션 인버터용 전력 모듈을 공급할 예정이라고 밝혔다. R2 플랫폼은 인피니언의 HybridPACK™ Drive G2 제품군의 실리콘 카바이드(SiC) 및 실리콘(Si) 모듈을 사용할 것이며, 공급은 2026년에 시작된다. 또한 인피니언은 R2 플랫폼에 AURIX™ TC3x ...

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 1600V의 항복 전압과 우수한 열 성능의 STGWA30IH160DF2 IGBT를 출시했다. 이 디바이스는 소프트 스위칭 토폴로지의 효율성을 높이고 병렬 연결을 간소화하면서 인덕션 히터, 조리기, 전자레인지, 전기밥솥 등의 고전력 가전제품에 적용할 수 있다.

인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 엔비디아와 협력하여 800V HVDC 중앙 전력을 생성하는 새로운 아키텍처 기반의 차세대 전력 시스템을 개발하고 있다. 이 새로운 시스템 아키텍처는 데이터 센터 내 에너지의 효율적인 전력 분배를 크게 향상시키며, 서버 보드 내 AI 칩(GPU, 그래픽 처리 장치)에서 직접 전력 변환을 가능하게 한다.