ST, 저전압용 GaN 설계 간소화 지원하는 하프 브리지 게이트 드라이버 발표
  • 2025-10-23
  • 신윤오 기자, yoshin@elec4.co.kr

산업용 장비 및 컴퓨터 주변기기용 전력 변환 애플리케이션에 적합

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 산업용 또는 통신용 버스 전압, 72V 배터리 시스템, 110V AC 라인 전원 장비에 최적화된 하프 브리지 GaN(Gallium Nitride) 게이트 드라이버 STDRIVEG210 및 STDRIVEG211을 출시했다.

최대 220V 레일 전압을 지원하는 이 드라이버는 선형 레귤레이터를 통합해 하이사이드 및 로우사이드 6V 게이트 신호를 생성하고, 분리된 싱크(Sink) 및 소스(Source) 경로를 통해 제어 최적화를 지원한다.



STDRIVEG210은 서버 및 통신 전원공급장치, 배터리 충전기, 어댑터, 태양광 마이크로 인버터 및 옵티마이저, LED 조명, USB-C 전력 소스 등과 같은 전력 변환 애플리케이션에 적합하다. 공진형 및 하드 스위칭(Hard-Switching) 토폴로지에 모두 적합하며, 300ns의 빠른 시동 시간으로 특히 간헐적 동작(버스트 모드) 시 웨이크업 시간을 최소로 줄인다.

STDRIVEG211은 과전류 감지 및 스마트 셧다운 기능을 갖춰 전원공급장치 외에도 전동 공구, 전기 자전거, 펌프 및 서보 모터 드라이브와 클래스 D 오디오 증폭기에 적용하기에 적합하다.

두 디바이스 모두 하이사이드 드라이버에 손쉽게 전원을 공급하는 부트스트랩 다이오드를 통합해 부품원가(BOM)를 간소화, 최소화할 수 있다. 2.4A의 싱크 전류와 1A의 소싱 전류를 지원하는 게이트 구동 경로가 각각 분리돼 빠르게 스위칭을 전환하고 간편하게 dV/dt를 조정할 수 있다.

보호 기능으로는 교차 전도를 방지하는 인터로킹(Interlocking) 이 있으며, 하이사이드 및 로우사이드 드라이버는 10ns 정합 시간의 짧은 전파 지연으로 낮은 데드타임(Dead Time) 동작을 구현한다. 저효율 또는 위험한 조건에서의 동작을 방지하는 저전압 차단(UVLO: Under-Voltage Lockout) 기능을 갖췄으며, 모터 구동 애플리케이션에 특화된 STDRIVEG211은 하이사이드 UVLO 보호 기능도 제공한다.

이외에도, 과열 보호 기능과 ±200V/ns의 dV/dt 내성을 갖추고 있으며, 최대 20V의 입력전압 허용 오차로 컨트롤러 인터페이스 회로를 간단히 설계하게 해준다. 대기(Standby) 핀은 전력관리를 용이하게 하며, 전원 접지를 분리하여 최적의 켈빈(Kelvin) 소스 게이트 구동이나 전류 션트를 이용할 수 있도록 지원한다.

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