아나로그디바이스, 오리건주 반도체 팹 확장으로 생산량 두 배로 증가
  • 2023-07-31
  • 신윤오 기자, yoshin@elec4.co.kr

10억 달러 이상 투자, 180 나노미터 이상의 첨단 미세공정 노드에서 제작

아나로그디바이스는 미국 오리건주 비버튼에 있는 반도체 웨이퍼 팹 설비 확장을 위해 10억 달러 이상을 투자한다고 밝혔다.

1978년에 완공된 비버튼 팹은 생산 물량 기준으로 ADI의 가장 큰 웨이퍼 제조 시설로서 산업, 자동차, 통신, 소비가전, 헬스케어 등 핵심 산업 분야의 고객에게 서비스를 제공하고 있다. 

ADI는 미국 오리건주 비버튼에 위치한 반도체 웨이퍼 팹 확장을 위해 10억 달러 이상을 투자한다고 밝혔다. 사진은 빈센트 로취(Vincent Roche) ADI CEO 겸 회장(왼쪽)과 비벡 자인(Vivek Jain) ADI 글로벌 운영 및 기술 총괄 부사장의 테이프 커팅 장면.


이번 설비 투자로 클린룸 공간은 약 118,000 제곱피트(약 11,000 제곱미터)로 늘어나고, 180 나노미터 이상의 첨단 미세공정 노드에서 제작되는 ADI 자체 생산량은 거의 두 배로 증대된다. 이와 함께 수백 명의 장기 신규 고용 효과를 창출함으로써, 오리건주에서 근무하는 ADI 직원 수도 현재 약 950명에서 크게 증가할 것으로 예상된다.

총 투자의 10% 이상은 전반적인 효율을 높이고 보다 환경 친화적인 화학 물질을 활용하기 위한 최신 첨단 팹 장비 구매에 사용된다. 이 시설은 생산량을 거의 두 배로 늘리면서도 절대 온실가스 배출량은 약 75%, 생산 단위당 용수 사용량은 약 50% 줄이는 것을 목표로 하고 있다. 

ADI의 빈센트 로취(Vincent Roche) CEO 겸 회장은 “ADI는 비버튼 팹 시설을 확장함으로써 핵심 산업 분야에서 생산 능력을 높이고, 반도체 지원법(CHIPS Act)의 취지에 맞춰 미국내 제조를 활성화하며, 자체 팹과 외부 파운드리를 함께 이용하는 ADI의 하이브리드 제조 모델의 글로벌 탄력성을 강화할 것"이라고 밝히고 “비버튼에 대한 우리의 투자는 ADI 기존 인력들의 놀라운 헌신과 재능, 오리건주의 강력한 인재 풀 활용을 통해 이러한 목표 달성을 촉진할 수 있을 것”이라고 말했다.

ADI 비버튼 시설에는 반도체 장비 유지관리와 관련하여 각각 25명 내외의 학생들로 구성되는 그룹을 대상으로 8주 과정의 교육을 제공하는 인재 개발 교육 센터인 반도체 선행 제조 대학(Semiconductor Advanced Manufacturing University, SAMU)이 유치될 예정이다.

ADI는 이 교육 센터를 통해 미군 퇴역 군인, 재취업 희망자, 기존 ADI 공장 작업자 등 지역 사회의 다양한 그룹에게 반도체 제조 기초 교육 및 전문성 심화 계발을 위한 커리큘럼에 대한 교육 기회를 제공할 예정이다. 
 

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