신호 처리 애플리케이션용 고성능 반도체 분야 글로벌 선도 기업인 아나로그디바이스(www.analog.com, NASDAQ: ADI | 한국 대표이사 양재훈)는 설계자들이 휴대전화용 무선 시스템(cellular radio systems)에서 하드웨어 크기를 줄이고 바이어스 전력 소비량 (bias power consumption)을 절감할 수 있도록 하는 고전력(최대 44W) SPDT(single-pole double-throw) 실리콘 스위치를 발표했다.
차세대 통신 인프라가 데이터 용량을 늘리는 방향으로 발전하면서 증가하는 데이터 사용량의 수요를 충족시키기 위해서는 휴대 전화용 무선 프런트 엔드의 크기는 줄이고 더 빠른 속도를 지원해야만 한다. ADI의 ADRF5130 스위치는 높은 수준의 통합을 통해 다른 부품의 추가 필요성을 제거함으로서 이 요건을 충족시킨다. 또한 이 스위치는 기존의 핀-다이오드 기반 솔루션에 비해 현격히 낮은 전류를 소모하는 단일·저전압 공급기(single low-voltage supply) 상에서 작동해 전력 소비량을 한층 더 효율적인 수준까지 절감시켜준다. ADRF5130은 실리콘 기술을 통해 제조되며 4mm × 4mm 크기의 소형 LFCSP SMT 패키지에 장착된다.
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제품 페이지 확인, 데이터시트 다운로드, 샘플 및 평가보드 주문:
http://www/analog.com/ADRF5130
아나로그디바이스의 RF 스위치 제품군 관련 상세 정보:
http://www.analog.com/en/products/rf-microwave/rf-switches.html
ADI의 온라인 기술 지원 커뮤니티 엔지니어존(EngineerZone®)에서 엔지니어 및 ADI 제품 전문가들과 정보 교환: https://ez.analog.com/community/rf
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ADRF5130은 0.7GHz~3.5GHz 주파수 대역에서 0.6dB(typ)의 삽입 손실, 50dB의 높은 절연 특성, +68dBm의 뛰어난 선형성을 자랑하며, 연속 동작 모드에서 44W의 피크 전력(peak power)을 처리할 수 있다. 이 스위치의 모든 핀들의 ESD level이 2000V 이상이며, 1 us 미만의 스위칭 시간(switching time)을 가진 고속 CMOS 호환 제어 인터페이스를 통합한다. 이외에도 대칭형 회로 아키텍처를 통해 고전력 어플리케이션에서 RF 입력을 스위칭하여 사용할 수 있도록 해준다.
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