RFMD는 미 국방부(DoD) 산하 국방첨단과학기술연구소인 DARPA(Defense Advanced Research Projects Agency)와 210만 달러 규모의 기술 협력을 체결했다고 발표했다. 이번 협력을 통해 고전력 레이더 및 다른 군사용 시스템에 사용되는 GaN(gallium nitride)의 열 효율성을 향상시킬 수 있게 된다.

이 협력은 DARPA의 TMT(Thermal Management Technologies) 프로그램의 NJTT(Near Junction Thermal Transport) 노력의 일환이다. DARPA NJTT 프로그램의 목적은 접합경계지역(near junction region)의 향상된 열 관리를 통해 GaN 전력 앰프가 관리하는 전력을 3배 이상의 성능으로 향상시키기 위해서이다. 열 성능이 향상된 다이아몬드 기판을 RFMD의 업계 선도적인 CaN-on-SiC 고전력 기술과 결합시킴으로써, RFMD는 전력 밀도와 전력 조절 성능을 대폭 개선시킬 수 있을 것으로 기대하고 있다.

RFMD의 파워 브로드밴드 사업부의 총괄매니저 겸 부사장인 제프쉴리(Jeff Shealy)는 “RFMD는 기존의GaN 기반 고전력 RF 앰프 제품 포트폴리오에 새로운 기술을 적용할 수 있는 DARPA와 협력할 수 있게 되어 기쁘다. 우리는 NJTT 프로그램이 더 낮은 동작 온도와 더욱 우수한 단위 면적당 RF 전력을 통해 더욱 우수한 성능의, 더욱 콤팩트한 RF 고전력 앰프(HPA)의 새로운 세대를 이끌어 갈 것으로 기대한다”라고 말했다.

이 프로그램에서 RFMD의 파트너들은 조지아공과대학(Georgia Institute of Technology), 스탠포드 대학교(Stanford University), 그룹4 랩(Group4 Labs), 보잉(Boeing)이 포함되어 있다. 조지아공과대학은 온도 테스트, 모델링 및 마이크로 라만 써모그래피(micro Raman Thermography) 분야에서 우수한 기술력을 인정받고 있다. 스탠포드 대학교는 트랜지스터 다이 내에서 결정적인 인터페이스 레이어의 열 측정 분야에서 세계적인 리더이다. 그룹4 랩은 다이아몬드 기판의 개발 분야의 선도업체이다. 마지막으로, 보잉은 미래형 방위 시스템에 예상된 영향을 평가하기 위한 결과적 기술을 측정할 방침이다.

RFMD는 2000년 이후 GaN 기술 분야에서 선도업체로 자리매김 했으며, 개방형 파운드리 비즈니스 모델을 통해 이용할 수 있는 고전력 공정 기술 두 가지를 선보이고 있다. RFMD의 GaN 전력 디바이스는 레이더, 군사통신(milcom), CATV 인프라를 포함해 다양한 방위 및 상업용 애플리케이션에서 사용되고 있다. RFMD는 우수한 선형성 및 출력 전력을 갖춘 GaN 기반 CATV 광대역 앰프 분야에서 세계적인 업체로, 통신 시장에 350,000 개 이상의 GaN 기반 CATV 앰프를 공급해 오고 있다.