RFMD의 새로운 RFHA104x 시리즈 고전력 GaN 광대역 BPT(broadband power transistor)는 군사용 통신, 상업용 무선 인프라, 범용 애플리케이션에 최적화된 제품이다. 이번에 새롭게 발표한 고성능 앰프들은 높은 PAR(Peak-to-Average)에 최적화된 고성능 65V 고전력 밀도 GaN 반도체 공정을 사용하여, 단일 앰프 설계시 폭넓은 주파수 범위에 대해 높은 효율과 플랫 이득으로 고전력을 달성한다. 각 제품은 뛰어난 열 안정성을 제공하는 표면 실장 중공(air-cavity)세라믹 패키지로 생산된 입력 매치형 GaN 트랜지스터이다. 편리한 통합 성능은 패키지 외부에 간단하면서 최적화된 매칭 네트워크 통합을 통해 달성되어, 광대역폭의 이득 및 고효율을 제공하며, 단일 앰프의 모든 제품들은 리니어 보정 회로에 이상적이다.
제품특징
‣ 피크 전력 : 125W (RFHA1042), 150W (RFHA1043)
‣ 주파수에 대한 단일회로 : 225MHz ~ 450MHz (RFHA1042), 1.2GHz ~ 1.85GHz (RFHA1043)
‣ 48V 모듈 성능:
o POUT:45.2dBm
o 이득: 18.5dB (RFHA1042), 15.5dB (RFHA1043)
o 드레인 효율: 42% (RFHA1042), 30% (RFHA1043)
o ACP: -26dBc (RFHA1042), -30dBc (RFHA1043)
‣ 48V CW 광대역 성능
o POUT:51.4dBm(RFHA1042),52dBm(RFHA1043)
o 이득: 16dB (RFHA1042), 13.5dB (RFHA1043)
o 드레인 효율: 60% (RFHA1042), 51% (RFHA1043)
‣ 비디오 대역폭을 위해 최적화되고 메모리 효과 최소화함
‣ 대신호 모델 이용가능
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