RFMD는 고선형성의 GaN RF UPT(RF unmatched power transistor) 2종 (제품명: 35W용 RFHA3942 및 65W용 RFHA3944)을 출시한다고 발표했다. 이 제품들은 기존의 GaN 트랜지스터 제품 대비 뛰어난 리니어 성능을 제공한다.
RFHA3942 및 RFHA3944의 출시는 CW(continuous wave) 및 펄스 피크 전력 애플리케이션을 겨냥한 UPT의 RF393X 시리즈의 후속 제품이다. 이 시리즈의 신제품 리니어 GaN 디스크리트는 리니어 백오프 동작이나 스퓨리어스 성능 감소를 요구하는 광대역 애플리케이션에 적합하다. RFMD는 앞으로 12개월간 10W 및 95W 리니어 GaN 디바이스를 출시하여 기술 리더십 입지를 더욱 강화할 계획이며, RFMD의 고객들이 이용할 수 있는 GaN UPT 옵션을 더욱 확장할 방침이다.
RFMD의 고선형성 GaN UPT 제품들은 높은 피크투애버리지(peak-to-average) 모듈레이션 파형을 지원하여 향상된 광대역 리니어 성능을 요구하는 새롭고 기존의 통신 아키텍처를 겨냥한다. RFHA3942 및 RFHA3944는 광범위한 주파수 범위(DC ~ 4GHz)로 맞추어져 있으며 각각 35W 및 65W의 CW 피크 전력을 제공한다. 이 제품들은 15dB의 높은 이득과 55%를 초과하는 높은 피크 효율도 제공한다. 2.1GHz로 맞추어진 IS95 9.8dB PAR 신호를 사용하는 RFHA3942 제품들은 34dBm POUT에서 43dBc ACP(adjacent channel power)를 달성하며, RFHA3944는 37dBm POUT일 때 -54dBc ACP 를 달성한다. 추가적으로, RFHA3942 및 RFHA3944는 패키지의 입력 및 출력 단계에서 높은 터미널 임피던스를 제공하며, 단일 앰프에서 광대역 이득 및 전력 성능 장점을 실현한다. RFHA3942 및 RFHA3944는 뛰어난 열 안정성과 전도성을 제공하기 위해 RFMD의 최첨단 히트 싱크 및 전력 소비 기술이 이용된 플랜지 세라믹 투리드 패키지로 실장되어 있다.
RFMD의 전력 광대역 사업부 제프 쉴리(Jeff Shealy) 부사장 겸 총괄 매니저는 “RFMD는 자사의 GaN 기반 제품 포트폴리오를 확장하게 되어 매우 기쁘며, 다양한 최종 시장을 지원하는 업계 선도적인 리니어 전력 성능을 제공하게 되었다. RFMD의 GaN 제품 포트폴리오는 기술과 제품 리더십에 지속적인 기여를 하고 있으며, 우수한 전력 밀도, 고효율, 견고한 의존성, ‘친환경 전력 소모 장점의 특징을 갖춘 GaN 디바이스를 추가적으로 출시할 수 있기를 기대한다”라고 말했다.