인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)가 산업용 및 차량용 전력 애플리케이션에서 증가하고 있는 더 높은 효율과 전력 밀도에 대한 요구에 대응한 제품을 내놨다.
이 회사가 출시한 750V G1 디스크리트 CoolSiC™ MOSFET 제품은 토템폴 PFC, T-타입, LLC/CLLC, DAB(듀얼 능동 브리지), HERIC, 벅/부스트, PSFB(위상 편이 풀 브리지) 토폴로지에 최적화된 산업용 및 차량용 등급의 SiC MOSFET으로 구성된다.
이들 MOSFET은 전기차 충전, 산업용 드라이브, 태양광 및 에너지 저장 시스템, 솔리드 스테이트 회로 차단기, UPS 시스템, 서버/데이터센터, 텔레콤 등의 산업용 애플리케이션과 온보드 차저(OBC), DC-DC 컨버터 등의 차량용 애플리케이션에 적합하다.
CoolSiC MOSFET 750V G1 기술은 뛰어난 RDS
(on) x Qfr 및 RDS
(on) x Qoss FOM(figure of merit)을 특징으로 하며, 각각 하드 스위칭 및 소프트 스위칭 토폴로지에서 매우 높은 효율을 달성한다. 높은 임계 전압(V
GS(th), 4.3V 정격)과 낮은 Q
GD/Q
GS 비율의 고유한 조합은 기생 턴온에 대한 견고성을 높이고 유니폴라 게이트 구동을 가능하게 한다.
이것은 시스템의 전력 밀도를 높이고 비용을 낮추는 것으로 이어진다. 모든 디바이스는 인피니언 고유의 다이 접착 기술을 사용해서 동일한 다이 크기로 뛰어난 열 임피던스를 제공한다. 신뢰성 높은 게이트 산화막 디자인에 인피니언의 품질 표준이 결합되어 견고하고 장기적인 성능을 제공한다.
CoolSiC MOSFET 750V G1 제품군은 25°C에서 RDS
(on)이 8mΩ~140mΩ에 이르는 포트폴리오로 다양한 요구를 충족하며, 디자인은 전도 손실과 스위칭 손실을 줄여 전반적인 시스템 효율을 높인다. 혁신적인 패키지는 열 저항을 최소화하고, 열 소산을 향상시키고, 회로 내 전력 루프 인덕턴스를 최적화하여 높은 전력 밀도를 달성하고 시스템 비용을 낮춘다. 이 제품군은 첨단 QDPAK 상단면 냉각 패키지로 제공된다.
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