마이크로칩, 실리콘 카바이드 MOSFET 및 디지털 게이트 드라이버 공급
  • 2021-12-09
  • 박종배 기자, jbpark@elec4.co.kr

마이크로칩테크놀로지(아시아 총괄 및 한국대표 한병돈)는 메르센(Mersen) 사와 협력해 메르센의 150kVA 3상 실리콘 카바이드 파워 스택 레퍼런스 디자인에 SiC MOSFET 및 디지털 게이트 드라이버를 공급한다고 밝혔다.

메르센은 e-모빌리티 및 에너지 스토리지를 포함한 여러 산업 분야에 전력 관리 솔루션을 제공하는 글로벌 기업이다.



메르센의 3상 SiC 파워 스택 레퍼런스 디자인은 개별 디바이스 소싱, 테스트 및 인증 없이도 시스템 개발자에게 완전하고 컴팩트한 고전력 실리콘 카바이드 솔루션을 제공한다. 파워 스택 레퍼런스 디자인은 마이크로칩의 실리콘 카바이드 파워 모듈 및 디지털 게이트 드라이버, 메르센의 버스 바, 퓨즈, 커패시터 및 열 관리를 포함하며, 최적의 단일 고성능 스택 레퍼런스 디자인으로 설계됐다.

마이크로칩의 1200V MSCSM120AM042CD3AG 실리콘 카바이드 MOSFET 및 AgileSwitch® 2ASC-12A1HP 디지털 게이트 드라이버가 포함된 파워 스택 레퍼런스 디자인은 개발자가 애플리케이션용으로 사전에 설계된 키트를 사용해 고전압 시스템을 신속하게 개발하도록 지원해 출시 기간을 6개월까지 단축한다.

마이크로칩의 디스크리트 제품 부문 부사장인 레옹 그로스(Leon Gross)는 “메르센과의 협력을 통한 실리콘 카바이드 MOSFET 및 디지털 게이트 드라이버 솔루션 공급은 마이크로칩 고객에게 많은 이점을 제공한다. 파워 인버터 개발자가 검증된 솔루션을 확보함으로써 개별 부품을 소싱할 필요가 없으며, 신뢰성이 향상되고 위험이 절감돼 가동 중지 시간을 방지하는 데 도움이 된다. 이로써 개발자는 올인원 평가 시스템을 이용할 수 있다”고 말했다.

파워 스택 레퍼런스 디자인은 16kW/l의 전력 밀도와 최대 130°C의 접합 온도(Tj), 피크 효율 98%, 최대 20kHz의 스위칭 주파수를 제공한다. 해당 레퍼런스 디자인은 마이크로칩의 견고한 실리콘 카바이드 MOSFET 및 AgileSwitch 제품군의 구성 가능한 디지털 게이트 드라이브를 활용하므로  개발자는 최대 750A의 전류에서 700V~1200V의 옵션을 선택할 수 있다. 마이크로칩은 또한 베이스플레이트 소재, DBC(Direct Bonding Copper) 세라믹 소재, 다이 접합 방식 등의 모듈 제작 옵션도 제공한다.

메르센의 글로벌 전략 마케팅 총괄 부사장인 필립 루셀(Philippe Roussel)은 “메르센은 매우 견고한 실리콘 카바이드 MOSFET 및 호환 가능한 디지털 게이트 드라이버를 단일 소스로부터 공급받을 수 있다는 점에서 이번 실리콘 카바이드 파워 스택 레퍼런스 디자인의 설계 및 개발에 있어 마이크로칩과 긴밀히 협력했다"고 말했다.

또한, "이번 협력을 통해 메르센의 고신뢰성 버스 바, 커패시터, 퓨즈 및 냉각 시스템 제품군을 통해 고객의 모든 인터버 토폴로지를 최적화할 수 있는 역량을 입증했다. 마이크로칩의 다용도 실리콘 카바이드 제품군을 통해 이러한 기본 사양을 더욱 높은 전압, 전류 및 스위칭 주파수로 확장하여 모든 고객의 동작점 요건을 충족할 수 있다”고 말했다.

 

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