RFMD는 자사의 파운드리 서비스 사업부에서 애질런트가 최근에 발표한 Advanced Design System(ADS) 2011 EDA 소프트웨어와 함께 사용할 수 있는 아날로그 반도체 설계 지원 툴(PDK, process design kit)의 업데이트 버전을 발표했다고 밝혔다. 이 최신 PDK는 RFMD의 질화갈륨 및 갈륨비소 공정 기술과 관련해 RFMD의 현재 및 잠재 파운드리 서비스 이용 고객들에게 바로 제공된다.
RFMD PDK는 ADS 2011에서 확장 가능 디바이스, 네이티브 DRC 및 레이아웃 기능들과 함께 완벽한 ADS 프런트-백엔드 MMIC 설계 흐름을 지원한다. 이들 PDK는 ADS 2011, ADS 2009 Update 1 및 ADS 2008 Update 2와 잘 연동해 RFMD 파운드리 서비스 고객들은 ADS 2011의 월등한 성능 이점을 누릴 수 있다.
RFMD의 GaN 및 GaAs 공정 기술은 RFMD가 자랑하는 업계 최고의 사이클 타임으로 파운드리 서비스 고객들에게 제공되고 있다. RFMD의 파운드리 서비스는 65V CW 동작을 지원하고 4GHz 이하에서 최대 성능에 최적화 되어 있는 0.5마이크론 GaN on SiC 공정 기술인 GaN1(고전력용 GaN)을 제공한다. 또한 RFMD의 GaN1 전력 기술은 400V 이상의 높은 브레이크다운 전압을 제공하며, RFMD의 GaN2는 0.5 마이크론 GaN on SiC 공정 기술로 고성능 통신 시스템을 위한 높은 선형성을 제공한다. 두 GaN 기술 모두 세계 최대 III-V 팹 중 하나인 노스캐롤라이나 그린스보로 소재 RFMD의 팹에서 생산된다. 
그린스보로 팹에서는 또한 핸드셋 및 혼합신호 애플리케이션을 위한 RFMD의 양산용 InGap 기술인 HBT8D를 비롯해 고전력 호환성으로 RFMD의 GaN 기술 제품군을 보완하는 통합 수동 부품 기술인 IPC3를 생산하고 있다.
이 밖에 RFMD 파운드리 서비스는 저잡음, 0.25 마이크론 GaAs pHEMT 기술인 FD25와 고전력 0.3마이크론 GaAs pHEMT 기술인 FD30도 제공하고 있다. 두 기술 모두 최대 25GHz의 애플리케이션을 지원할 수 있다. RFMD 기술 포트폴리오에는 0.6 마이크론 GaAs pHEMT 기술인 FET1H, 0.6마이크론 GaAs E/D pHEMT 기술인 FET2D가 포함되어 있다. 각각의 RFMD pHEMT 기술은 영국의 뉴턴 에이클리프 소재 RFMD 팹에서 제조된다.
RFMD의 파운드리 서비스 사업부의 기술을 맡고 있는 톰 조셉 박사는 “ADS 2011 발표를 통해 RFMD 파운드리 고객들은 RFMD의 GaN 및 GaAs 공정 기술을 위한 애질런트의 최신 다중기술 플랫폼을 이용할 수 있게 됐다. 애질런트의 새로운 라이브러리 아키텍처와 시뮬레이션 개선점들을 활용해 RFMD의 파운드리 고객들은 설계 효율을 향상시키고 엔드 시장을 겨냥한 제품의 출시 기간을 단축할 수 있다”고 말했다.