RFMD는 고효율 280W 펄스 질화갈륨(gallium nitride, GaN) RF 매치 파워 트랜지스터인 RFHA1025를 출시한다고 밝혔다. RFHA1025는 경쟁 실리콘 파워 기술에 비해 월등한 성능이 특징이다.
RFHA1025는 최근에 출시되어 RFMD의 매칭 파워 트랜지스터 제품군 중 가장 높은 출력을 자랑하는 S대역 디바이스인 380W RF3928B 제품을 보완해주는 제품이다. RFMD는 대역대에서 GaN 기반의 파워 앰프 트랜지스터 제품을 확대, 레이더 시장에서의 선도적인 입지를 강화해 나가고 있다.
RFMD의 GaN 매치 파워 트랜지스터는 범위가 더욱 확대되었으며, 사이즈 및 무게가 줄어들었을 뿐만 아니라 새로운 및 기존 레이더 아키텍처에서 전반적인 견고성을 더욱 향상시킨다. RFHA1025는 광범위한 주파수 범위(0.96~1.2GHz)에서 동작하며, 280W 펄스 전력, 14dB 이상의 이득, 55% 이상의 높은 피크 효율을 제공한다. 뿐만 아니라 RFHA1025는 설계자의 회로를 단순화하고 줄일 수 있도록 내부 매칭을 포함하고 있다. 밀폐형 플랜지(hermetic flanged) 세라믹 패키지로 제공되는 RFHA1025는 RFMD의 최신 히트 싱크 및 전력 소모 기술을 이용해 매우 우수한 서멀 안정성과 전도성을 제공한다. RFMD의 RF393x 언매치 파워 트랜지스터(unmatched power transistors, UPT)는 RFHA1025에 드라이버로도 사용이 가능하다.
RFMD의 파워 광대역 사업부의 제프 쉴리 총괄 이사는 “RFMD는 업계 최고의 전력 성능을 제공하는 GaN 기반의 제품군을 더욱 확대, 다양한 엔드 시장을 지원할 수 있게 되어 기쁘다. RFMD의 GaN 제품군은 자사의 기술 및 제품 선도력을 잘 나타내주고 있으며, 조만간 우수한 전력 밀도, 고전력 효율 및 튼튼한 신뢰성이 특징인 GaN 디바이스를 추가적으로 선보일 수 있을 것으로 기대하고 있다”고 말했다.
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