충전 속도가 3배 빠르면서도 80% 더 가볍워
ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 세계 최초로 실리콘 기술에 기반한 하프-브리지 드라이버와 2개의 GaN(Gallium-Nitride) 트랜지스터를 내장한 MasterGaN® 플랫폼을 발표했다.
이 통합 솔루션은 최대 400W까지 컨슈머 및 산업용 애플리케이션을 지원하는 소형의 효율적인 차세대 충전기와 전원 어댑터 개발을 가속화할 것이다.
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GaN 기술로 구현된 이 디바이스들은 보다 작고 가벼우면서 에너지 효율적이며, 더 많은 전력 처리가 가능하다. 이러한 기술 향상은 스마트폰의 초고속 충전기, 무선 충전기, PC 및 게임기용 USB-PD 소형 어댑터는 물론, 태양광 에너지 저장 시스템이나 무정전 전원공급장치, 고급 OLED TV 및 서버 클라우드와 같은 산업용 애플리케이션에 변화를 가져올 것이다.
현재 GaN 시장은 일반적으로 디스크리트 전력 트랜지스터와 드라이버 IC가 사용되고 있으며, 설계자들은 이를 조합해 최상의 성능을 구현하는 방법을 찾아야 한다. ST의 MasterGaN은 이러한 문제가 없기 때문에 제품 출시를 앞당기고 성능을 보장하면서도, 부품 개수를 줄여 점유면적을 줄이고 어셈블리를 간소화하며 신뢰성을 향상시킬 수 있다. GaN 기술과 ST 집적화 제품을 활용하여 일반 실리콘 기반 솔루션에 비해 충전기 및 어댑터의 크기를 80%, 무게는 70%까지 줄일 수 있다.
ST의 아날로그 서브-그룹 사업본부장 겸 수석 부사장인 마테오 로 프레스티(Matteo Lo Presti)는 “ST의 시장 독보적인 MasterGaN 플랫폼은 검증된 전문성과 전력 설계 기술에 바탕을 두고 있다. 이는 ST의 고전압 스마트 전력 BCD 프로세스와 GaN 기술을 결합하면서, 환경 문제에 더욱 효과적이고 공간 절감형의 전력 효율적인 제품 개발 속도를 높일 수 있다”고 밝혔다.
ST는 2개의 GaN 전력 트랜지스터를 포함한 새로운 MasterGaN1 플랫폼을 출시했으며, 이 트랜지스터들은 하이-사이드 및 로우-사이드 드라이버가 통합된 하프-브리지 드라이버로 연결돼 있다.
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