트랜스폼, GaN 플랫폼, 자동차 등급 AEC-Q101 테스트 통과

2019-03-04
박종배 기자, jbpark@elec4.co.kr

175°C 환경에서 GaN 플랫폼의 성능 및 신뢰성 입증

트랜스폼(Transphorm Inc.)의 JEDEC 인증 3세대 고전압 GaN 플랫폼이 AEC(Automotive Electronics Council)의 자동차 등급 디스크리트(Discrete) 반도체용 AEC-Q101 스트레스(stress) 테스트를 통과했다고 밝혔다.

인증 테스트를 치르는 동안 175°C 환경에서 3세대 GaN 플랫폼의 성능과 신뢰성을 입증했다.

트랜스폼의 AEC-Q101 인증 3세대 GaN FET ‘TP65H035WSQA’는 온저항(on-resistance) 35mΩ에 업계표준 패키지 TO-247로 구성되어 있다. 전작인 2세대 50mΩ TPH3205WSBQA와 마찬가지로 플러그인 하이브리드 전기자동차(PHEVs) 및 배터리 전기자동차(BEV)용 AC-DC 온보드 차저(on-board chargers, OBCs), DC-DC 컨버터, DC-AC 인버터 시스템을 대상으로 한다.

트랜스폼이 2018년 6월에 출시한 3세대 디바이스는 최고의 신뢰성과 품질[Q+R]을 자랑하는 GaN FET 제품군으로서 시판되었다. GaN FET 제품군은 EMI는 낮추되 노이즈 내성(임계전압 4V)과 게이트 강인성(±20V)은 강화했다.

트랜스폼이 JEDEC이나 AEC-Q101을 포함해 표준 시험의 확대·가속화에 나선 것은 Q+R을 매우 중요시하기 때문이다. 트랜스폼의 3세대 GaN FET는 인증 시험을 거치는 동안 경쟁제품인 AEC-Q101 인증 고전압 실리콘 MOSFET보다 열 임계치가 25°C 높은 것으로 드러났다.

필립 죽(Philip Zuk) 트랜스폼 글로벌 테크니컬 마케팅 사업부 부사장은 “높은 신뢰성과 품질은 전기자동차를 비롯한 자동차 시장 고객들이 고전압 GaN FET 제품군을 선택하는 가장 큰 요인일 것”이라며 “트랜스폼은 예상했던 것보다 훨씬 더 혹독할 수 있는 실제 조건에서 성능과 신뢰성을 그대로 유지할 수 있도록 매진한다”고 밝혔다.

이어 “공개한 신뢰성 데이터를 확인하면 알 수 있듯이 JEDEC 인증 3세대 플랫폼의 FIT 고장률은 3으로 실리콘 카바이드(Silicon Carbide)와 비슷한 수준”이라며 “트랜스폼은 이러한 높은 신뢰성을 바탕으로 175°C 환경에서 구동하는 3세대 자동차용 FET를 출시했다”고 덧붙였다.

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