RFMD는 군용 통신, 전자전, 무선 인프라, 레이더, 양방향 무선 통신 및 범용 송신 증폭기와 같은 연속파 및 펄스 애플리케이션을 위해 설계된 광대역 파워 앰프인 RFHA1000 GaN 파워 IC (PIC)를 출시했다. 이 제품은 최신 GaN HEMT 반도체 공정 및 히트싱크 기술, 50 Ω에 내부적으로 매칭된 입력, 28 V의 동작 전압과 15 W의 출력 전력, 50~1000 MHz 순시 대역폭, 17 dB의 이득을 특징으로 한다.
RFHA1000 GaN 파워 IC는 뛰어난 열 안전성을 제공하는 5×6 mm SOIC-8 패키지로 제공된다.
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