RFMD, RFHA1000 50MHz-1000MHz, 15W GaN 광대역 파워 앰프

2011-11-04
편집부

RFMD의 RFHA1000 GaN 파워 IC (PIC)는 군용 통신, 전자전, 무선 인프라, 레이더, 양방향 무선 통신 및 범용 증폭기와 같은 연속파 및 펄스 애플리케이션을 위해 설계된 광대역 파워 앰프이다.
앞선 고전력 밀도 GaN(Gallium Nitride) 반도체 공정이 적용된 이 고성능 앰프는 단일 앰프 설계상에서 고효율, 평탄 이득 및 순시 대역폭을 달성한다. 이 GaN 디스크리트 앰프는 50Ω 입력 매칭으로, 앞선 히트 싱크 및 전력 분산 기술을 사용하여 뛰어난 열 안정성을 제공하는 초소형 폼팩터 5×6mm SOIC-8 아웃라인 에어 캐비티 세라믹 패키지로 조립된다.
단일 앰프 형태로 광대역 이득과 전력 성능을 제공하는 패키지에 최적화된 입력 매칭 네트워크를 결합함으로써 통합이 한층 용이해졌다. 외부 출력 매칭은 전체 대역폭 내에서 어떠한 서브대역에 해당하더라도 전력과 효율을 더욱 최적화할 수 있는 유연성을 제공한다.
제품 특징은 다음과 같다.
- 최신 GaN HEMT 및 히트싱크 기술, 50Ω에 내부적으로 매칭된 입력, 28V 동작, 15W
출력 전력, 50MHz~1000MHz 순시 대역폭
- 이득 : 17dB
- 전력 부가 효율 : 60%
- 대신호 모델 이용 가능, 미 수출 관리 규정 EAR99 수출 통제 품목