실리콘랩스(지사장 백운달)는 자사의 절연형 게이트 드라이버 제품군에 새롭게 Si828x 버전 2를 추가한다고 발표했다.
이로써 실리콘랩스는 보다 효과적으로 SiC(Silicon Carbide) FET(Field Effect Transistor) 게이트를 효과적으로 구동하는 절연형 게이트 드라이버 제품군을 통해 더 높은 전력 밀도와 보다 발열이 적은 작동, 그리고 줄어든 스위칭 손실을 요구하는 하프-브리지 및 풀-브리지 인버터와 전원공급장치 시장에 대응할 수 있게 됐다.
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실리콘랩스의 브라이언 미르킨(Brian Mirkin) 부사장 겸 전력 제품 총괄 매니저는 “Si828x 제품군은 하이브리드(HEV)/전기자동차(EV)와 산업용 애플리케이션에 이상적인 다양한 이점들을 제공한다”며, “자동차 충전기 및 트랙션 인버터 설계 시 전력 스위칭 용도로 SiC FET를 사용하는 고객은 Si828x 특유의 견고한 게이트 드라이브, 강력한 불포화 오류 응답, 그리고 효율을 높이는 밀러 클램프 조합을 통해 상당한 이점을 얻을 수 있다"고 말했다.
실리콘랩스의 게이트 드라이버는 SiC 솔루션의 선도적 공급회사인 울프스피드(Wolfspeed)와의 협력을 통해 울프스피드의 SiC MOSFET과 함께 테스트를 마쳤다.
울프스피드의 제이 카메론(Jay Cameron) 수석 부사장 겸 전력 제품 담당 총괄 매니저는 " 전기차의 전력 변환 및 인버터 애플리케이션용으로 SiC 적용이 급속히 늘어나고 있다. SiC는 더욱 늘어난 주행거리와 더 빠른 충전 속도를 원하는 소비자들의 요구를 충족하기 때문이다”라고 밝히고 “SiC MOSFET에 최적화한 게이트 드라이버는 이들 애플리케이션에 대한 SiC의 영향을 극대화한다”고 말했다.
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