부품 수와 폼 팩터를 줄이고 시스템 비용을 감소시켜
넥스페리아(지사장 김영택)는 기존의 기술 및 경쟁 회사 제품 대비 훨씬 향상된 성능을 제공하는 자사의 2세대 650V 전원 질화 갈륨(GaN) FET 소자 제품군의 대량 공급을 개시한다고 발표했다.
RDS(on) 성능을 35mΩ(일반)까지 낮춘 이 전력 질화 갈륨 FET는 2kW에서 10kW까지 이르는 단상 AC/DC 및 DC/DC 산업용 전환 모드 전원 공급 장치(SMPS)를 비롯해 특히 80PLUS® Titanium 효율 규정을 충족해야 하는 서버 및 통신 관련 제품에 적용된다. 이 소자들은 또한 동일한 전력 범위에서 태양 광 인버터 및 서보 드라이브에 적합한 제품이다.
TO-247 패키지로 제공되는 이 650V H2 전력 질화 갈륨FET는 주어진 RDS(on) 값에 대해 다이 크기를 36% 줄여서 안정성과 효율성을 향상시켜준다.
이 소자들의 다단 증폭용 캐스코드 구성은 복잡한 드라이버의 필요성을 없애고 출시 시간도 단축한다. 또한 하드 스위칭 및 소프트 스위칭 구성 모두에서 뛰어난 성능을 제공하므로 엔지니어들에게 최대의 제품 설계 유연성을 제공한다.
넥스페리아의 질화 갈륨 전략 마케팅 책임자인 딜더 초드리(Dilder Chowdhury) “Titanium은 80PLUS® 사양 중 가장 까다로운 내용으로 전체 부하 조건에서 91%이상의 효율을, 50% 부하 조건에서 96% 이상의 효율을 요구한다”며 “2kW 이상 작동 조건의 서버 전원 제품을 필요로 하는 분야에서 기존의 실리콘 소자를 사용해 이러한 수준의 성능을 달성하는 것은 복잡하고 어려운 일이다. 이 번에 대량 공급을 시작한 당사의 전력 질화 갈륨 FET는 더 적은 부품을 사용해 물리적 크기와 비용을 모두 줄이는 제품 구성에 매우 이상적이다”라고 언급했다.
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