인피니언, 650V CoolSiC 하이브리드 IGBT 디스크리트 출시
  • 2021-02-17
  • 박종배 기자, jbpark@elec4.co.kr

인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 650V CoolSiC™ Hybrid IGBT 디스크리트 제품군을 출시한다고 밝혔다.

이 제품군은 650V TRENCHSTOP™ 5 IGBT 기술과 유니폴라 구조의 쇼트키 배리어 CoolSiC 다이오드를 결합했다. 우수한 스위칭 주파수와 낮은 스위칭 손실로 DC-DC 파워 컨버터와 PFC (역률 보상)에 매우 적합하며, 주요 애플리케이션은 배터리 충전 인프라, 에너지 저장 솔루션, 태양광 인버터, 무정전 전원장치 (UPS), 서버 및 텔레콤 SMPS 등이다.



CoolSiC Hybrid IGBT는 IGBT와 프리휠링 SiC 쇼트키 배리어 다이오드를 패키지에 통합하여, 동작 시 거의 일정한 dv/dt 및 di/dt 값으로 스위칭 손실을 크게 낮춘다. 표준 실리콘 다이오드 솔루션과 비교해서 Eon은 최대 60퍼센트, Eoff는 최대 30퍼센트까지 낮춘다. 또 다르게는 출력 전력 요구는 그대로이면서 스위칭 주파수를 40퍼센트까지 높일 수 있다.

스위칭 주파수를 높이면 수동 부품의 크기를 줄일 수 있으므로 BOM (bill of materials) 비용을 낮출 수 있다. TRENCHSTOP 5 IGBT를 Hybrid IGBT로 교체하면 설계 변경 없이 매 10kHz 스위칭 주파수에 효율을 0.1퍼센트 향상시킬 수 있다.

전자기 적합성과 시스템 신뢰성 향상

이들 제품은 순수 실리콘 솔루션과 고성능 SiC MOSFET 디자인 사이의 가교 역할을 할 것이다. 순수 실리콘 디자인과 비교해서 Hybrid IGBT는 전자기 적합성과 시스템 신뢰성을 향상시킨다. 또한 쇼트키 배리어 다이오드의 유니폴라 특성으로 다이오드가 심한 발진이나 기생 턴온의 위험 없이 빠르게 스위칭할 수 있다. 고객들은 TO-247-3핀 패키지나 TO-247-4핀 켈빈 이미터 패키지 중에서 선택할 수 있다. 켈빈 이미터 패키지의 네 번째 핀은 인덕턴스가 매우 낮은 이미터 제어 루프를 가능하게 하고 총 스위칭 손실을 낮춘다.

CoolSiC Hybrid 디스크리트 IGBT 제품군은 현재 주문 가능하다. 40A, 50A, 75A 650V TRENCHSTOP 5 초고속 H5 IGBT에 정격이 절반인 CoolSiC Gen 6 다이오드를 통합한 제품들과 중간 속도 S5 IGBT에 정격이 동일한 CoolSiC Gen 6 다이오드를 통합한 제품들을 포함한다.

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