트랜스폼(Transphorm Inc.)이 두 번째 900V GaV 전계효과 트랜지스터(FET)의 생산을 시작했다고 18일 발표했다.
트랜스폼은 높은 안정성의 고성능 질화갈륨(GaN) 전력 반도체를 개발, 제조하는 선구적 기업이다. TP90H050WS는 1kV 과도 스파이크 정격의 50 mΩ 일반 온저항을 제공하며 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 인증을 획득했다. 주요 타깃 시장은 광범위한 산업 및 재생에너지 부문으로 태양광 인버터, 배터리 충전, 무정전 전원 공급 장치, 조명, 에너지 저장 등의 응용 제품을 포함한다.
이와 함께 트랜스폼은 900V 포트폴리오를 바탕으로 3상 애플리케이션을 포괄하도록 전압 범위를 확장하고 있다. 900V 장치 성능에 대한 자세한 정보는 트랜스폼 동영상(
https://bit.ly/316GWae)을 통해 확인할 수 있다.
지난해 공개된 TP90H050WS는 트랜스폼이 TP90H180PS에 이어 두 번째로 내놓은 900V 장치다. 이는 2칩 정상오프(normally-off)형 파워 트랜지스터로 표준형 TO-247 패키지로 제공되며 ±20V의 게이트 강건성을 구현해 전력 시스템을 위한 안정성과 설계성을 제고해준다. 트랜스폼의 고속 GaN과 내열 TO-247 패키지의 조합으로 시스템 효율이 99%를 웃돈다. 또한 브리지리스 토템폴 역률 보상(bridgeless totem-pole PFC)으로 일반적인 하프 브리지(half bridge) 설정에서 최대 10kW의 전력을 생성할 수 있다.
필립 주크(Philip Zuk) 트랜스폼 기술 마케팅/NA 판매 담당 부사장은 “트랜스폼의 900V 플랫폼 작업은 고전압 GaN 파워 트랜지스터의 기능성을 보여준다”며 “이 장치로 그동안 액세스할 수 없었던 응용 제품을 지원할 수 있게 됐다”고 설명했다. 그는 “50mΩ FET 샘플 제공 시 큰 관심을 받았다”며 “제품의 대량 생산 단계로 전환해 고객 수요에 부응하게 돼 자랑스럽다”고 말했다.
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