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트랜스폼, 성능은 높이고 비용은 낮춘 4세대 GaN 플랫폼 발표
- 2020-04-16
- 신윤오 기자, yoshin@elec4.co.kr
최신 고전압 GaN디바이스, 성능 및 설계성 향상되고 비용 낮아져
고전압 질화갈륨(GaN) 전력반도체를 공급하는 트랜스폼이 4세대 GaN 플랫폼을 발표했다.
트랜스폼의 최신 기술은 자사의 이전 세대 GaN 제품에 비해 성능, 설계성 및 가격 면에서 눈에 띄게 향상됐다. 이와 관련, 트랜스폼은 또 4세대 및 미래 세대 플랫폼을 SuperGaN™기술로 부를 것이라고 밝혔다.
첫 번째 JEDEC인증 받은 SuperGaN 디바이스는 PQFN88패키지로 패킹한 240 mΩ 650 V GaN FET(전기장효과 트랜지스터)인 TP65H300G4LSG이다. 두 번째 SuperGaN디바이스는 TO-247패키지로 패킹한 35 mΩ 650 V GaN FET인 TP65H035G4WS이다. 이들 디바이스는 현재 샘플이 공급되고 있으며 각각 2분기와 3분기에 출시될 예정이다.
적용 대상 애플리케이션은 어댑터, 서버, 통신, 광범위한 산업, 재생 제품 등이다. 시스템 설계자들은 트랜스폼의 4kW 브리지리스 토템폴(bridgeless totem pole) 교류-직류(AC-DC) 평가 보드인TDTTP4000W066C키트에서 기술을 평가할 수 있다.
SuperGaN™은 어떤 기술
트랜스폼의 공학기술 팀은 극히 단순하고 실질적으로 향상된 새로운 제품을 설계하기 위해 이전 제품의 생산 램프(ramp)에서 얻은 지식을 적용하고 성능과 제조 가능성을 끊임없이 시험하고 비용을 절감하는 방향으로 4세대 제품을 설계했다.
트랜스폼의 전 세계 기술 마케팅 및 북미 판매 담당 부사장인 필립 주크(Philip Zuk)는 “트랜스폼의 SuperGaN FET는 실리콘 초접합MOSFET(금속산화막 반도체 전계효과 트랜지스터)가 발전하면서 그러했듯이 차세대 전력 전자에 계속 영향을 미칠 것으로 예상된다”며 “회사의 4세대 GaN플랫폼은 더 우수한 성능을 제공해 다른 전력 단계에서 새로운 설계 기회를 창출하면서 고객의 전반적인 투자 수익률(ROI)을 증가시킨다. 손실을 줄이고 신뢰성을 약화시키지 않으면서 고객의 초기 투자 규모를 실리콘에 대한 투자 규모에 가깝게 낮출 수 있는 능력은 시장에서 GaN의 위치가 강화되고 있다는 것을 나타내는 또 하나의 지표”라고 말했다.
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