새로운 표면 실장 트랜지스터 소자, 고전압 GaN 기능 요구 증가에 부응

최고의 신뢰도를 자랑하는 고전압(HV) 질화갈륨(GaN) 반도체 설계 및 제조 분야를 선도하는 트랜스폼(Transphorm Inc.)이 자사 최초의 3세대 PQFN88 트랜지스터를 11일 발표했다.

신제품 650V 트랜지스터 소자는 TP65H070LSG(소스 탭)과 TP65H070LDG(드레인 탭) 등 두 가지 버전으로 출시되며 72 밀리옴의 온저항을 제공한다.

2018년 출시된 트랜스폼의 3세대 트랜지스터 소자는 최고의 품질과 최고의 신뢰도를 자랑하는 [Q+R] 질화갈륨 전계효과 트랜지스터(GaN FET)로 시장에 출시되었다. 이 트랜지스터는 맞춤형으로 설계된 고전압 모스펫(MOSFET)과 GaN FET이 쌍을 이루어 다음과 같은 특징을 제공한다.

3세대 드레인 및 소스 PQFN88 패키지에는 보드 레벨 신뢰성(BLR) 향상을 위해 더 넓은 핀이 포함되어 있는데 이는 다중 계층 인쇄회로기판(PCB) 설계의 신뢰도를 높여준다. 또한 드레인 및 소스 탭 구성환경 제공은 상단 및 하단 스위치 위치 모두를 수용한다. 이는 대형 패드가 비 스위칭 노드에 연결될 때 방사 내성을 높여준다. 더 나아가 기존의 3세대 TO-XXX FET 제품군에 PQFN88 소자를 추가하면 엔지니어들은 트랜스폼의 최신 기술을 이용해 GaN 기반 표면 실장 애플리케이션을 연구할 수 있는 기회를 얻게 된다.

트랜스폼의 글로벌 기술 마케팅 및 북미 세일즈 담당 부사장인 필립 죽(Philip Zuk)은 “우리는 계속해서 GaN FET의 신뢰도를 향상시키는 한편 출력 밀도를 더 높이는 데 주력하고 있다”며 “또한 고전압 GaN 기술에 대한 시장의 관심이 지속적으로 커짐에 따라 우리 고객들이 각각의 잠재적인 애플리케이션에 맞는 다양한 소자 선택 옵션을 갖게 하는 것을 목표로 하고 있다”고 말했다. 이어 “이를 위해 75밀리옴의 소스 및 드레인 PQFN88 트랜지스터 소자를 출시함으로써 현재의 제품군을 더 늘리는 한편, 세 가지 목표 모두를 충족시킬 수 있다”고 덧붙였다.

고전압 GaN 파워 일렉트로닉스 채택률이 증가세를 보이고 있는데, 실제로 트랜스폼은 이 기술의 가치 제안을 여실히 보여주는 다양한 용도의 제품(예를 들어, 서버 및 산업용 전원 공급 장치, 게임 PC 용품, 이동식 태양열 발전기 등)을 취급하는 다수의 고객들을 공개한 바 있다.