650V 확장 모드 전자 이동도 트랜지스터(E-HEMT) GaN 공정
올해 하반기 PiN Schottky 다이오드 구조 병합한 2세대 SiC SBD 공정 개시

Sanan IC(Sanan Integrated Circuit Co., Ltd)가 세계 시장에 최신 고전압 AC/DC 및 DC/AC 전력전자 애플리케이션용으로 집중 투자한 실리콘 웨이퍼 파운드리 서비스에 대한 150mm 갈륨 질화물 (GaN) 상용 출시를 발표했다.

Sanan IC의 새로운 G06P111은 SBD(Shotky Barrier Diodes)에 사용되는 100mm 및 150mm 실리콘 카바이드(SiC)를 포함하는 WBG (wide bandgap) 화합물 반도체의 파워 전자 웨이퍼 파운드리 포트폴리오에 추가된 650V 확장 모드 전자 이동도 트랜지스터(E-HEMT) GaN 공정이다.

Sanan Optoelectronics의 LED 시장을 위한 수년간의 대량 생산 경험을 바탕으로 Sanan IC는 고전압, 저누설 GaN-on-silicon 균일성이 우수한 에피택셜 웨이퍼를 자체 MOCVD 성장 능력으로 삼아 파운드리 서비스를 보완할 수 있다.

Sanan IC의 Assistant General Manager인 Jasson Chen은 “650V GaN E-HEMT 공정 기술의 출시는 세계 시장에 서비스를 제공하기 위한 첨단 화합물 반도체 제조에 대한 우리의 노력을 보여준다”며 ”우리는 고전압, 고전력 전자 산업 분야에서 실리콘 카바이드에 대한 보완 기술로서 GaN-on-silicon을 선택의 핵심 광 밴드 갭 반도체로 고려하고 있다. 부품 공급 업체 및 시스템 설계자는 고전력 아날로그 설계에서 향상된 성능, 효율성 및 신뢰성을 위해 기존 실리콘에 비해 넓은 밴드 갭 반도체로 마이그레이션하고 있다. Sanan IC는 이 고성장, 대규모 전력 전자 제품 시장에서 성공할 수 있는 좋은 위치에 있다”고 말했다.

이 회사의 G06P11 GaN-on-silicon 공정은 공정 신뢰도 검증을 위해 JEDEC 표준을 통과한 상태에서 드레인 - 소스 온 - 스테이트 저항 RDS(on) 범위가 50mΩ ~ 400mΩ 범위인 650V E- 모드 FET를 위한 소자 구조를 제공한다.

낮은 누설 전류, 낮은 게이트 전하, 높은 전류 밀도 및 낮은 동적 특성의 고유 저항(Rsp)을 위해 설계되어 고온 작동을 위한 초소형 스위칭 소형 디자인을 구현한다. 올해 하반기에는 200V GaN E-HEMT 공정뿐만 아니라 PiN Schottky(MPS) 다이오드 구조를 병합한 2세대 SiC SBD 공정을 개시할 예정이다.

프로세스 기술로서 GaN-on-silicon은 전원 어댑터, USB-PD(전력 공급), 휴대용 충전기 및 AC/DC 무정전 전원 공급 장치용 PFC(Power Factor Correction)와 같은 최신 소비자 및 서버 애플리케이션에 이상적이다.

이 기술은 EV/HEV(하이브리드/전기 자동차), LiDAR 및 무선 충전과 같은 다른 시장에서도 주목받고 있다. Yole Group of Companies의 한 부문인 선도적인 기술 시장 조사 회사인 Yole Développement(Yole)에 따르면 GaN 전력 장치 시장의 연평균 복합 성장률(CAGR)은 93%로 2023년까지 4억2300만달러 이상을 창출할 것으로 예상된다. Sanan IC는 전력 전자 업계의 여러 시장 부문에서 신기술을 제공하는데 전념하고 있다.