넥스페리아, 고성능 IVN 보호 다이오드 신제품 출시

넥스페리아, 고성능 IVN 보호 다이오드 신제품 출시
기존 제품과 드롭-인 교체 가능

2017-12-15
박종배 기자, jbpark@elec4.co.kr

더 높은 서지 전류, 더 뛰어난 ESD 보호, 더 우수한 ESD 클램핑 성능 제공

넥스페리아(구 NXP 표준(스탠다드) 제품 사업부)가 더 높은 서지 전류, 보다 우수한 ESD 보호, 그리고 대폭 향상된 ESD 클램핑 성능을 제공하는 IVN(in-vehicle network, 차량 내 네트워크) 보호 다이오드 신제품을 출시한다고 밝혔다. AEC-Q101 인증을 획득한 PESDxIVN 시리즈 신제품은 자동차용 최신 CAN, LIN, FlexRay 트랜시버에 최적화되어 있다.

신제품은 일반적인 SOT23, SOD323, SOT323 패키지로 공급되기 때문에 레거시(기존) 제품들과 드롭-인 방식으로 교체가 가능하며 성능은 기존 제품보다 훨씬 더 향상됐다. PESD2IVN24-T는 30kV ESD 보호 성능(레거시 PESD1CAN의 23kV보다 우수)과 3.5A의 향상된 서지 전류, 그리고 3.5A에서 42V의 훨씬 더 우수한 클램핑 성능(클램핑 전압은 낮을수록 우수하며, 기존 제품은 3A에서 70V 지원)을 제공한다. 그 밖에 다른 파라미터들은 그대로 유지되거나 더 개선됐다. PESD1IVN27-A는 ESD 보호 성능은 똑같이 향상됐지만 레거시 PESD1LIN보다 클램핑 전압은 더 향상됐다.

넥스페리아의 오토모티브 제품 마케팅을 담당하는 안드레 드레슬러(André Dressler) 매니저는 “자동차에서 데이터 트래픽이 점점 더 늘어나고 전자기기들의 기능과 복잡도는 더욱 높아짐에 따라 보다 효과적인 ESD 보호 솔루션이 필수이다”며 “넥스페리아는 안전한 연결을 보장하기 위해 ESD 보호 다이오드의 성능을 지속적으로 향상시켜 왔으며 이를 통해 고객들은 자신들의 차량용 전자기기를 고성능에 견고하고 효율적인 디바이스들로 보호할 수 있다”고 말했다.

#반도체 #부품

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