도시바 코퍼레이션(Toshiba Corporation)이 오늘 적층 셀 구조1)의 차세대 BiCS FLASH™ 3차원(3D) 플래시 메모리를 공개했다. 세계 최초2) 64층 적층 제품의 샘플 출하가 오늘 시작된다. 이 새로운 기기는 3비트/셀(TLC) 기술을 포함하고 256기가비트(32기가바이트) 용량을 보유하고 있으며, 이는 도시바의 독자적인 아키텍처의 잠재력을 입증하는 사례이다. 도시바는 BiCS FLASH™ 개선을 지속해 이후 64층 적층의 512기가비트(64기가바이트) 제품 출시를 다음 목표로 계획하고 있다.
1) 실리콘 기판에 플래시 메모리 셀을 수직으로 쌓은 구조로, 실리콘 기판에 셀을 늘어놓은 평면상의 NAND 플래시 메모리에 비해 밀도가 대폭 향상된다.
2) 2016년 7월27일 기준, 도시바 조사
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이 신제품은 기존의 48층 BiCS FLASH™를 이은 제품으로 최첨단의 64층 적층 공정을 이용해 48층 적층 공정에 비해 칩의 면적 당 40% 늘어난 용량을 실현하고 비트 당 소요되는 비용을 줄이고 실리콘 웨이퍼 한 장당 생산되는 메모리 용량이 증가했다. 64층 BiCS FLASH™는 까다로운 성능 사양을 충족할 수 있고, 기업 및 소비자 SSD, 스마트폰, 태블릿, 메모리카드 등 각종 응용프로그램에 사용될 수 있다.
2007년 6월 세계 최초3)의 프로토타입 3D 플래시메모리 기술을 공개한 이후, 도시바는 기술 개발을 지속해왔다. 회사는 현재 용량의 대형화와 사이즈의 소형화 요구를 충족하는 BiCS FLASH™ 개발에 매진하고 있다.
도시바는 이달 초 공식적으로 문을 연 요카이치 공장(Yokkaichi Operations)의 뉴팹2(New Fab 2)에서 새로운 64층 BiCS FLASH™를 생산하게 된다. 64층 BiCS FLASH™의 양산은 2017년 상반기에 시작될 예정이다.
3) 2007년 6월12일 도시바 발표
* BiCS FLASH는 도시바 코퍼레이션의 상표다.
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