TI (대표이사 켄트 전)는 업계 최저 저항을 달성하는 새로운 60V N 채널 FemtoFET 전력 트랜지스터 제품을 출시한다고 밝혔다. 신제품 CSD18541F5은 기존의 60 V 부하 스위치보다 9 0% 낮은 저항을 달성함으로써 최종 시스템의 전력 손실을 줄여준다. 또한, 극소형의 1.53 mm x 0.77 mm 실리콘 기반 패키지로 제공되어, SOT-23 패키지로 제공되는 부하 스위치와 비교해서 풋프린트가 80 % 절감된 크기이다. (보다 자세한 정보 및 샘플 주문은 www.ti.com/CSD18541F5-pr-kr 참조)
CSD18541F5 MOSFET은 54 mΩ의 정격 온-저항(Rdson)을 유지하며, 공간 제약적인 산업용 부하 스위치 애플리케이션에서 표준적 소신호 MOSFET을 대체하도록 설계 및 최적화되었다. 또한, 소형화된 LGA(land grid array) 패키지로 패드 간에 0.5mm 피치이므로 제조 시에 탑재를 용이하게 한다. (관련 블로그 글 “새로운 60V FemtoFET MOSFET을 사용함으로써 산업용 풋프린트 축소” 참조)
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CSD18541F5은 TI NexFET™ 기술 포트폴리오의 FemtoFET MOSFET 제품군의 신제품으로써 더 높은 전압을 제공하고 제조를 용이하게 한다. (설계 요약본에서 LGA 패키지에 관한 보다 자세한 정보 참조)
CSD18541F5의 주요 기능 및 장점
· 10V 게이트-대-소스(VGS) 전압조건에서 기존의 60 V 부하 스위치 보다 90% 작은 54 mΩ의 극히 낮은 Rdson을 달성하여 전력 손실을 줄인다.
· 극히 소형화된 1.53 mm x 0.77 mm x 0.35 mm LGA 패키지로, SOT-23 패키지의 기존 부하 스위치보다 80% 작은 크기를 자랑하며 PCB 공간을 절약한다.
· 제조공정에 용이한 0.5 mm 패드 피치이다.
· ESD(electrostatic discharge) 보호 다이오드를 통합함으로써 MOSFET 게이트를 과전압으로부터 보호한다.
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