- 새로운 엔듀라 볼타 CVD 시스템의 독특한 코발트 공정으로 기존 배선 공정의 장애 완화
- 두 획기적인 배선 공정으로 차세대 고성능, 저전력 마이크로 칩 지원
- 업계 최초의 선택적 CVD 금속 공정으로 정밀 재료 공학의 리더십 입증

반도체, 평판 디스플레이 및 태양전지 장비 글로벌 업체인 어플라이드머티어리얼즈는 정밀하고 얇은 코발트 박막을 증착시켜 28나노급 이하의 로직 칩에 구리 배선을 보호 할 수 있는 유일한 제품인 어플라이드 엔듀라 볼타 CVD 코발트 시스템(Applied Endura® Volta™ CVD Cobalt system) 을 출시한다고 발표했다.

스텝 커버리지가 우수한 코발트 라이너와 선택적 코발트 캡핑막이 가능한 어플리케이션들이 구리 배선을 완벽하게 보호함으로써 제품의 신뢰성을 수십 배 이상 향상시킨다. 우수한 금속 보호막인 코발트의 도입은 15년 이상의 배선 공정 역사에 가장 주목할만한 소재의 변화이다. 이 두 가지 새로운 공정과 함께 엔듀라 볼타 CVD 시스템은 28나노급 이하의 구리 배선을 위한 중요한 기술이다.

첫 번째 단계는 좁은 배선 내에 구리를 채우는 공정의 마진을 향상시키기 위해 얇고 스텝 커버리지가 좋은 CVD코발트 라이너를 증착시키는 것을 포함한다. 이러한 공정은 동일한 플랫폼의 초고진공 하에서 전세정, 물리기상증착 배리어, CVD코발트 라이너 및 구리 시드 공정을 통합함으로써 소자의 성능 및 수율을 개선한다.

두 번째 단계는 새로운 ‘선택적’ CVD 코발트 캡핑 단계로 구리의 화학적기계연마(Chemical Mechanical Polishing)공정 이후에 구리배선을 보호하도록 증착하는 것으로 소자의 신뢰성을 향상시키기 위한 단계이다. 배선을 코발트로 완전히 밀봉하여 소자의 신뢰성을 80배 이상 가능하게 하는 기능성 계면을 형성하게 하는 것이다.

어플라이드머티어리얼즈 실리콘 시스템 그룹의 부사장 겸 총괄 책임자인 랜디어 타쿠르(Randhir Thakur) 박사는 “칩 한 개에 들어있는 수십억 개의 트랜지스터를 연결하는 배선의 신뢰성 및 성능은 소자 제조업체의 높은 수율을 달성하기 위해 중요하다. 배선의 크기는 무어의 법칙의 속도를 유지하기 위해 작아지면서, 구리 배선은 치명적인 공극(void)과 전자 이동에 따른 신뢰성 불량이라는 두 문제가 더 심각해진다.“라고 말하며, “엔듀라 볼타 시스템은 28나노급 이하의 구리 배선 크기를 조정하여 수율 문제를 극복할 수 있는 CVD기반의 코발트 라이너와 선택적인 코발트 캡핑막을 제공하여 정밀 재료 공학의 리더십을 증진시킨다.”라고 덧붙였다.

또한, 어플라이드머티어리얼즈 금속증착제품 그룹의 부사장 겸 총괄 책임자인 선다르 라마머시 (Sundar Ramamurthy) 박사는 “독특한CVD 코발트 공정은 혁신적인 소재가 가능하게 하는 미세화 솔루션이다.”라고 말하며, “약 10년에 걸친 소재 및 공정의 혁신적인 기술이 우리 고객들의 고성능 모바일 및 서버 칩 제조에 사용된다는 것에 매우 만족한다.” 라고 덧붙였다.

어플라이드머티어리얼즈는 최첨단 반도체, 평판 디스플레이, 태양전지 등의 제조를 위한 혁신 장비, 서비스 및 소프트웨어를 제공하는 세계적 선두 기업이다. 어플라이드머티어리얼즈의 기술은 스마트폰, 평면 스크린 TV, 태양광 패널과 같은 첨단 제품의 가격 경쟁력 및 접근성을 높이는 데 적용되며, 전 세계 기업과 소비자들에게 혜택을 주고 있다. 어플라이드머티어리얼즈에 대한 보다 자세한 정보는 www.appliedmaterials.com 에서 확인 가능하다.

*PVD=물리적증기증착법(physical vapor deposition), CVD=화학적증기증착법(chemical vapor deposition), CMP=화학적기계연마(chemical mechanical planarization)