임베디드 메모리, 속도는 빠르고, 발열은 적고, 포팅은 심플해져

다양한 전자제품군에 솔루션을 제공하는 세계적인 반도체 회사인 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)는 메모아 시스템즈(Memoir Systems, 이하 메모아)와의 협업을 통해 메모아의 혁신적인 알고리즘 메모리 기술(Algorithmic Memory Technology)을 자사의 완전 공핍형 실리콘-온-인슐레이터(FD-SOI: Fully-depleted silicon-on-insulator) 공정으로 생산되는 주문형 반도체 및 시스템온칩의 임베디드 메모리에 적용할 수 있게 되었다고 발표했다.

메모아의 알고리즘 메모리 기술을 ST의 FD-SOI 공정을 사용해 생산된 제품에 적용하면, 소비 전력 및 성능에서 상당한 이점을 얻을 수 있어 더욱 우수한 성능 구현이 가능하다. 또한, FD-SOI로 소프트 에러율(SER: Soft Error Rate)[1]은 낮아지고 누설 전류도 극소화되어 네트워킹, 교통, 의료, 항공우주 등과 같이 업무 수행력이 탁월해야 하는 영역에서 더욱 가치를 발할 것이다.

필립 마가색(Philippe Magarshack) ST 설계 상용화 및 서비스 부문 수석 부사장은, “ST의 FD-SOI 공정 기술 자체로도 다른 공정 기술을 사용한 디바이스보다 더 빠르고 발열이 적은 ASIC과 SoC의 제조가 가능하다.” 며 “이제 메모아 시스템즈社의 탁월한 IP를 더하여 FD-SOI는 더욱 매력적인 공정이 됐고, 포팅이 얼마나 간단한지 잘 보여줄 수 있었다.”고 말했다. 

선더 아이어(Sundar Iyer) 메모아 시스템즈社 공동 창립자 겸 CEO는 “우리는 획기적인 메모리 기술, 설계 시간 단축, 뛰어난 성능 구현에 신념을 갖고 일해왔으며, 우리의 뛰어난 알고리즘 메모리 기술을 ST의 FD-SOI에 적용한 것은 우리는 물론이고, 고객들에게도 매우 의미 있는 일이다.” 며 “우리가 확인한 성능과 쉬운 포팅을 보면, FS-SOI는 더 빠르고, 발열은 적고, 더 간단한 공정임에 틀림없다.”고 말했다.

ASIC 주요 제조사인 ST는 기존의 평면 벌크-실리콘(Bulk-silicon) 제조방식을 확장, 단순화하는 FD-SOI 공정 기술을 도입한 최초의 반도체 회사이다. ST의 FD-SOI 트랜지스터는 개선된 정전기 특성과, 짧은 채널 길이로 벌크 CMOS를 이용해 만들어진 동급 트랜지스터 대비 더 높은 주파수에서 작동한다.