ST마이크로일렉트로닉스, 프랑스 제너럴 페리에 그랑프리 수상
  • 2012-12-24
  • 편집부

다양한 전자 애플리케이션을 제공하는 세계적인 반도체 회사 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)와 프랑스 최고의 기술 연구 기관인 CEA-Leti의 연구팀이 2012년 제너럴 페리에 어워드(2012 Général Ferrié Award)를 받았다.

프랑스 내 전자 산업 R&D부문에서 가장 영예로운 상으로 불뤼는 제너럴 페리에 어워드는 전자공학 및 관련 애플리케이션 발전에 크게 기여한 엔지니어나 과학자 팀을 치하하는 상이다.

수상 팀 구성원은 Leti의 클레어 프누이예 베랑제(Claire Fenouillet-Béranger)와 올리비에 페노(Olivier Faynot) 그리고 ST의 스테판 몬프레이(Stéphane Monfray)와 프레데릭 뵈프(Frédéric Bœuf)이다. 이들은 전자회로 소형화 기술에 있어서 중차대한 돌파구를 이룬 FD-SOI(완전 공핍형 실리콘-온-인슐레이터) 기술 관련 실적으로 이번 수상의 영광을 안았다.

1960년대 초반부터, 반도체 업계는 컴퓨팅 파워에 대한 니즈를 만족시키기 위해 무어의 법칙을 따라왔다. 이는, IC상의 트랜지스터의 집적도는2년 주기로 2배씩 증가한다는 이론이다.

하지만, 현재 업계는 중대한 문제에 봉착했다. 트랜지스터의 크기가 100nm보다 작아지면 트랜지스터의 전기적 특성을 제어하기가 어려워 지기 때문이다. 21세기에 들어오면서 ST와 Leti의 첨단-모듈 팀의 작업으로, 새로운 방법들을 도입하면 기존 트랜지스터 성능이 얼마나 향상되는지 측정을 할 수 있게 됐다. 

시간이 흘러 인슐레이터 없이 두꺼운 실리콘에 트랜지스터를 만드는 방법의 대안으로, 인슐레이터에 기초한 초박형 실리콘 기판에 트랜지스터를 만드는 방법을 개발했다. 그 결과가 바로 완전 공핍형 실리콘-온-인슐레이터(FD-SOI)이다. 이 평면 기술은 기존 기술에 이미 사용되던 제조 프로세스를 활용한다. FinFET을 포함한 다른 방식들은 3-D 트랜지스터에 기반하기 때문에 설계 기술 및 프로세스 기술에 큰 변화가 필요하다.
사실상, 이 연구팀의 네 명의 연구자들은 FD-SOI의 산업화를 이루어냈을 뿐만 아니라, FD-SOI의 기술적 우위를 증명했다. 그들은 이 방식의 세 가지 주요 혜택을 다음과 같이 정리했다.

- 생산 프로세스가 기존의 표준 기술에서 사용했던 것과 매우 유사함 (실리콘 단결정 기판용 ‘벌크’)
- 회로 설계를 벌크에서 FD-SOI로 변경하는 것은 FinFET방식보다 훨씬 더 용이한데 그 이유는 이 접근방식이 평면 기하학을 계속 사용하기 때문임
- 고성능과 저전력 소모를 동시에 요구하는 스마트폰 및 태블릿과 같은 모바일 애플리케이션에 이상적임

Leti의 CEO인 로랑 마리어(Laurent Malier)는 “이 상은 20년 이상 계속해 온 Leti의 SOI 관련 R&D 공로를 인정받은 것이다. Leti는 이 기술을 산업적으로 활용할 수 있는 단계로 개발하는데 성공하고 속도와 전력 소모 사이에서 이상적인 절충이 필요한 모바일 디바이스에 통합될 수 있는 우수한 제품으로 만들어 낸 것을 자랑스럽게 생각한다.”고 밝혔다.

ST의 첨단 디바이스 이사이자 IEEE회원인 토마스 스코트니츠키(Thomas Skotnicki)는 “첨단 부품 팀의 중심에서 클레어, 프레데릭, 올리비에 및 스테판이 보여준 끈기와 품격은 박막에 대한 차별화된 트랜지스터 개념을 보여주고 산업화의 걸림돌을 극복하는 데 일조했다”고 평가했다.

ST마이크로일렉트로닉스의 디지털 사업부 프론트 엔드 제조 및 프로세스 R&D 총괄 부사장인 조엘 하트만(Joel Hartmann)은 “부품을 지속적으로 소형화하려는 치열한 국제 경쟁의 업계에서 CEA와 ST간의 오랜 공조가 큰 결실을 맺는 것을 보게 되어 특별히 더 자랑스럽다”고 말했다.

2월 3일 열린 시상식은 SEE (Société de l’Electricité, de l’Electronique et des Technologies de l’Information et la Communication)의 사장인 폴 프리델(Paul Friedel)과 어워드 및 특전 위원회 회장이자 과학 아카데미 및 기술 아카데미의 에릭 스피츠(Erich Spitz)의 공동 사회로 진행됐다.

이 상은 라디오 보급의 선구자이자 프랑스 육군장군이며 엔지니어이었던 구스타브 어거스트 페리에 (Gustave-Auguste Ferrié (1868-1932))를 기리는 상이다. 페리에는 1904년 에펠탑에 무선 안테나 설치를 이끌었다. 1917년 그의 디바이스로 마타 하리라는 간첩의 메시지를 차단할 수 있어, 그녀의 간첩 활동도 종지부를 찍게 됐다.

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