이동통신 단말기 및 기타 휴대형 애플리케이션 설계자들이 배터리 충전 및 로드 스위칭 성능을 향상시킬 수 있도록 지원하기 위해서 페어차일드 반도체가 자사의 P-채널 PowerTrench® MOSFET 라인을 확장했다.
FDMA910PZ 및 FDME910PZT은 MicroFET™ MOSFET 패키지를 특징으로 하며, 해당 물리적 크기(2×2mm 및 1.6×1.6mm)에서 탁월한 온도 성능을 제공하기 때문에 스위칭 및 선형 모드 애플리케이션에 최적화되었다. 디바이스는 20V 정격으로 제공되며, 낮은 온-상태 저항 특성을 제공한다. ESD(electrostatic discharge) 고장을 방지하기 위해서 FDMA910PZ 및 FDME910PZT은 최적화된 제너 다이오드 보호 기능을 제공함으로써 IGSS 누설 최대 정력 역시 10µA에서 1µA으로 낮춘다.
특징 및 장점은 다음과 같다.
FDMA910PZ
- VGS=-4.5V, ID=-9.4A 조건에서 Max RDS(ON)=20mΩ
- VGS=-2.5V, ID=-8.6A 조건에서 Max RDS(ON)=24mΩ
- VGS=-1.8V, ID=-7.2A 조건에서 Max RDS(ON)=34mΩ
- 낮은 프로파일 - HBM ESD 보호 수준이 2.8kV typical보다 높은 MicroFET 2×2mm 패키지에서 최대 0.8mm
FDME910PZT
- VGS=-4.5V, ID=-8A 조건에서 Max RDS(ON)=24mΩ
- VGS=-2.5V, ID=-7A 조건에서 Max RDS(ON)=31mΩ
- VGS=-1.8V, ID=-6A 조건에서 Max RDS(ON)=45mΩ
- 낮은 프로파일 - HBM ESD 보호 수준이 2kV typical보다 높은 MicroFET 1.6×1.6mm 박형 패키지에서 최대 0.55mm
FDMA910PZ 및 FDME910PZT은 할로겐 성분과 산화안티몬이 없으며, RoHS 지침을 준수한다. 두 디바이스 모두 저전압 조건에서 안전 동작을 제공하며, 단말기 및 휴대형 기기에서의 사용에 적합하다.
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