페어차일드 반도체, 3.3×3.3mm2 PowerClip 비대칭 듀얼 MOSFET 디바이스
  • 2012-05-11
  • 편집부

고밀도 임베디드 DC-DC 전원장치로 더욱 더 많은 기능을 제공하기 위해 전력 요구량이 높아짐에 따라서 전원장치 엔지니어들은 더 적은 보드 공간으로 더 높은 전력 밀도와 효율을 달성해야 하는 과제에 직면해 있다. 페어차일드 반도체는 디자이너들이 이와 같은 과제를 달성할 수 있도록 라고 하는 25V 3.3×3.3mm2로우프로파일 듀얼 Power Clip 비대칭 N-채널 모듈 제품을 내놓았다.
높은 스위칭 주파수로 동작할 수 있도록 설계된 FDPC8011S는 완전 클립 패키지로 1.4mW SyncFET와 5.4mW 제어 N-채널 MOSFET을 통합함으로써 동기 벅 애플리케이션에 이용했을 때 커패시터 수와 인덕터 크기를 줄일 수 있도록 한다. 이 디바이스의 하단 면은 간편하게 탑재 및 배선을 가능하게 하므로 보드 레이아웃을 간소화하고 최적의 열 성능을 달성할 수 있다. FDPC8011S는 25A 이상의 출력 전류를 공급할 수 있으므로 기존의 3.3x3.3mm2듀얼 MOSFET 제품에 비해서 출력 전류 용량을 2배로 향상시켰다.
제품의 특징과 이점은 다음과 같다.
- 제어 N-채널 MOSFET, VGS=4.5V일 때 정격 RDS(ON)=5.4mW (7.3mW Max)
- 동기 N-채널 MOSFET, VGS=4.5V일 때 정격 RDS(ON)=1.4mW (2.1mW Max)
- 인덕턴스가 낮은 패키징 기술을 이용해서 상승/하강 시간을 단축함으로써 스위칭 손실 감소
- 듀얼 MOSFET을 통합함으로써 레이아웃을 간소화하고 회로 인덕턴스 및 스위치 노드 링잉 감소
- RoHS 규정 준수

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