페어차일드 반도체의 FDMF6708N 2세대 XS™ DrMOS 제품군은 고전류 고주파 동기 벅 DC-DC 애플리케이션에 이용할 수 있도록 완벽하게 최적화된 통합적인 MOSFET+드라이버 전력 스테이지 솔루션이다. FDMF6708N은 열 향상 6mm×6mm PQFN Intel®DrMOSv4.0표준 패키지로 드라이버 IC, 2개 전력 MOSFET, 부트스트랩 쇼트키 다이오드를 통합하고 있다.
FDMF6708N은 실장공간을 50퍼센트 줄일 수 있으면서 높은 스위칭 주파수와 높은 전력 밀도를 제공한다. 또한 이 디바이스는 ZCD(Zero Cross Detect) 기능을 이용해서 경량 부하 효율을 향상시키고 그럼으로써 배터리 시간을 연장할 수 있도록 한다. 또한 이 디바이스는 기존의 디스크리트 솔루션과 달리 최신 제어 FET 및 SyncFET™ 기술을 이용해서 풀 부하 시에 높은 효율을 달성하고 클립 본드 패키징을 이용해서 소스 인덕턴스를 낮출 수 있도록 한다. 기존의 디스크리트 솔루션은 더 넓은 PCB 공간, 더 긴 레이아웃 트레이스, 더 높은 인덕턴스, 더 많은 부품들을 필요로 하며 로우프로파일 자기 소자를 사용하기 위해서 높은 주파수가 요구됨으로써 열 성능을 떨어트리는 결과를 야기한다.
PQFN 6mm×6mm 패키지로 제공되는 FDMF6708N 디바이스는 가장 근접한 경쟁사 제품과 비교해서 피크 부하(15A) 시의 효율은 2.5퍼센트 더 우수하고 풀 부하(30A) 시의 효율은 6퍼센트 더 우수하다. 이 디바이스는 20V 입력 전압이라 하더라도 600KHz~1.0MHz 스위칭 주파수를 필요로 하는 애플리케이션에 이용할 수 있다. 그러므로 디자이너들이 더 소형의 높이가 낮은 인덕터와 커패시터를 사용할 수 있으므로 솔루션 크기를 줄일 수 있을 뿐만 아니라 열 성능을 향상시킬 수 있다. FDMF6708N 디바이스를 이용함으로써 더욱 더 냉각이 뛰어나고, 두께가 얇고, 에너지 효율이 우수한 울트라북을 구현할 수 있을 것이다.
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