STMicroelectronics는 MDmesh V 제품군에 새로 추가된 신제품으로 고전압 전력 모스펫(MOSFET; 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터) 부문 세계 신기록을 수립했다고 밝혔다. ST마이크로일렉트로닉스의 MDmesh V 제품군은 이미 업계를 선도하는 제품으로 650V에서 최고 효율 및 최고 전력 밀도를 구현하는 최저 단위 면적당 온저항(on-resistance)을 선보이며 핵심 효율성 지표를 23% 이상 향상시킨다. 이는 전자 조명 제어, 소비자 가전 제품용 전력 공급 및 태양광 컨버터 등의 시스템에 사용되는 전력 변환 회로에서 방출되는 열 손실을 줄여 에너지를 절감한다.
ST의 파워 트랜지스터 사업부의 마케팅 이사인 마우리지오 주이디체(Maurizio Giudice)는 “ST는 뛰어난 기술력으로 초접합 모스펫 부문에서 신기록을 수립했다. MDmesh V는 ST의 입증된 멀티 드레인 메시(Multi-Drain Mesh) 기술 중 가장 최신 기술”이라며 “강화된 성능으로 소비자 애플리케이션의 에너지 소비를 줄였고 ST는 이런 혁신적인 제품 개발 및 디자인을 통해 탁월한 성능을 제공하며 환경 친화적인 제품을 만들고 있다”고 밝혔다.
최근에 출시된 STW88N65M5 MDmesh V 모스펫은 스탠더드 TO-247패키지의 650V급 장치에서 업계 최저 온상태(on-state) 저항인 0.029Ohms를 구현한다. 이는 ST가 MDmesh V 장치로 수립한 이전 업계 기록인 0.038Ohms보다 더 향상된 수치이다. 애플리케이션 설계자들은 저항 수치가 높은 모스펫을 대체하거나 병렬로 설치하는 장치수를 줄여 에너지 효율을 개선하는 한편 조립 크기와 부품 비용을 줄일 수 있게 됐다.
ST의 650V급 STW88N65M5 및 다른 MDmesh V 장치들은 경쟁사들의 600V급 장치보다 더 큰 안전 마진을 제공한다. AC 파워라인에서 일반적으로 발생하는 전압 서지를 모스펫이 견딜 수 있게 됐다.
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