페어차일드 반도체는 디자인 공간을 줄여야 하는 폼팩터에서 효율성 향상에 기여하는 파워 트렌치(Power Trench) MOSFET 제품(FDMB
2307NZ PowerTrench짋 MOSFET)을 출시했다.
리튬이온 배터리의 보호회로 및 기타 휴대용 애플리케이션용으로 특별히 설계된 FDMB2307NZ은 양방향 전류 흐름을 가능케 하는 듀얼 N채널 공통 드레인 MOSFET의 특징을 가지고 있다.
향상된 파워 트렌치 공정을 사용하여 높은 전력 밀도를 가능하게 하고, RSS(on)은 VGS = 4.5 V, ID = 8 A에서 최대 16.5 mΩ을 제공한다. 그 결과 경쟁 솔루션에 비해 낮은 전도 손실, 낮은 전압 강하, 적은 소비 전력으로 향상된 설계 효율을 제공한다. 또한 뛰어난 방열 특성을 제공함으로써 보다 증가된 효율성을 제공한다.
FDMB2307NZ는 MLP 패키지 중 최소 클래스인 2×3 mm 마이크로 FET 패키지로 제공되며, 기존 솔루션에 비해 40% 작아 디자인의 보드 공간을 대폭 줄일 수 있다. 또한 RoHS 기준을 준수하고, ESD 내성(HBM)은 2 KV 미만이다.
페어차일드 반도체는 첨단 회로 기술을 작고 개선된 패키지에 집적함으로써 모바일 사용자에게 설계상의 크기, 비용, 그리고 전력을 줄일 수 있는 상당한 장점들을 제공한다. 페어차일드의 모바일 IP는 오늘날 시장에서 유통되는 대부분의 모바일 장치에서 사용되고 있다. fairchildsemi.com
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