SiC MOSFET, 방열면을 패키지 윗면에 배치하여 기존의 리드 타입 패키지와 동등한 수준의 방열 성능 실현
로옴주식회사는 SiC MOSFET의 TSC3PAK (14.00×18.58×3.50mm) 패키지를 개발했다고 밝혔다.
업체 측에 따르면, 신제품은 자동 실장이 가능한 면실장 제품으로, 방열면을 패키지 윗면에 배치한 구조를 채용함으로써, 기존의 리드 타입 패키지 (TO-247-4L)와 동등한 수준의 방열 성능을 실현했다. xEV (전동차)의 온보드 차저 (OBC)나 전동 컴프레서 등에서 전력 변환 회로의 고효율화와 고신뢰성화에 기여한다는 설명이다.
신제품은 패키지에 독자적인 홈을 형성함으로써 업계 최고 수준의 연면 거리 6.66mm를 확보했다. 시장에서 폭넓게 보급된 패키지와의 호환성을 유지함과 동시에 오염도 2 환경 하에서 1200V의 AC 피크 전압 대응을 실현했다. 이를 통해, 고내압 어플리케이션에서 안전한 절연 설계가 가능해짐에 따라 실장 비용 삭감과 신뢰성 향상에도 기여한다는 것이다.
또한 로옴의 제4세대 SiC MOSFET를 탑재함으로써 낮은 ON 저항과 고속 스위칭 특성을 실현했다. 전력 변환 시의 스위칭 손실을 대폭 저감하여, 어플리케이션의 고효율화와 저전력화에 기여한다.
신제품은 2026년 6월부터 양산을 개시했다 (샘플 가격 5,500엔 /개, 세금 불포함). 온라인 판매에도 대응하여 Arrow.com 및 CoreStaff Online 등 온라인 부품 유통 사이트에서 구입 가능하다. 또한, 시뮬레이션 모델을 로옴 공식 Web 사이트에서 제공하여, 신속한 회로 검토를 서포트하고 있다.
앞으로도 로옴은 SiC MOSFET의 라인업을 한층 더 확충하여 전자기기의 고성능화, 소형화, 고신뢰성화에 기여해 나갈 것이라고 업체 측은 전했다.
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