습식 식각, 기존 CF₄ 기반 건식 식각, 저 온난화 지수 대체 가스 기반 중심으로
기존 습식 식각(wet etching)은 단순성, 높은 생산성, 공정 비용 측면에서 여전히 유효하지만 미세화와 형상(profile) 제어에는 한계가 있다. 이에 따라 이방성(anisotropy)과 CD control이 우수한 건식 식각(dry etching)이 핵심 공정으로 자리잡았고, 최근에는 고 온난화 지수 F기반 가스(high-GWP fluorocarbon) 및 NF3 계열 가스의 환경부하를 줄이기 위해 저 온난화지수(GWP) 대체 가스와 ALE 기반 정밀 식각이 차세대 방향으로 부상하고 있다.
글/ 고려대학교 주병권 교수님 연구실
주병권(고려대학교 전기전자공학부 교수)
서지호(고려대학교 마이크로나노시스템 협동과정 석사 과정)
목차
1. 서론
2. 습식 식각(Wet etching)의 원리와 특징
3. 기존 CF4 기반 건식 식각 (Conventional Dry Etching)의 원리와 특징
4. 저 온난화 지수(Low GWP) 대체 가스 기반 친환경 건식 식각
5. 관련 연구 동향 정리
6. 기술적 한계와 향후 전망
7. 결론
8. 참고 문헌
1. 서론
반도체 및 디스플레이 제조 공정에서 식각은 감광 공정을 통해 형성된 이차원 패턴을 실제 삼차원 구조로 전환하는 핵심 단위공정이다. 식각 공정은 절연막, 반도체막, 금속막을 선택적으로 제거하여 접촉 구멍, 연결 구멍, 홈 구조, 게이트 구조, 절연막 개구부 등을 형성하며, 소자의 전기적 특성, 집적도, 신뢰성, 수율에 직접적인 영향을 미친다. 최근 소자 구조는 고집적화, 미세화, 다층화, 삼차원 구조화 방향으로 빠르게 발전하고 있으며, 이에 따라 식각 공정에도 단순한 제거 속도뿐 아니라 높은 선택비, 높은 이방성, 낮은 손상, 낮은 잔사, 정밀한 단면 형상 제어가 동시에 요구되고 있다. 이러한 배경은 기존 습식식각 중심의 공정 체계에서 플라즈마 기반 건식식각 중심의 공정 체계로 기술의 중심축이 이동하게 된 중요한 이유로 작용하였다. [1]
습식 식각은 장비 구성이 단순하고 공정 비용이 상대적으로 낮으며 처리량이 높다는 장점을 바탕으로 오랜 기간 널리 사용되어 왔다. 그러나 액상 반응 특성상 일반적으로 모든 방향으로 반응이 진행되는 등방성 특성이 강하여, 미세 패턴에서는 옆파임과 패턴 번짐이 발생하기 쉽다. 반면 건식 식각은 플라즈마 내에서 생성된 반응성 중성종과 하전 입자를 함께 이용하여 방향성 있는 식각을 구현할 수 있으므로, 수직 측벽 형성과 미세 치수 제어에 유리하다. 이에 따라 첨단 반도체 및 디스플레이 제조에서는 건식 식각이 핵심 기술로 정착하였으며, 최근에는 유도결합 플라즈마 반응성 이온 식각과 원자층 식각과 같은 정밀 식각 기술의 중요성이 더욱 커지고 있다. [1]
그림 1. 습식 식각과 건식 식각의 대표적 식각 거동 비교
한편 최근 식각 기술은 단순히 공정 성능만으로 평가되기 어렵다. 반도체 제조 산업은 많은 에너지와 물, 화학물질을 사용하는 산업이며, 특히 플라즈마 식각과 증착 챔버 세정 공정에 사용되는 플루오린계 가스는 온실가스 배출 측면에서 중요한 부담 요인으로 지적되고 있다. 반도체산업협회 보고서는 플라즈마 식각 및 증착 공정에서 사용되는 다양한 플루오린계 물질의 역할과 더불어, 이들 물질의 대체 가능성 및 규제 대응 필요성을 정리하고 있다. [2],[3] 특히 CF4, CHF3, C2F6, C4F8, NF3와 같은 기존 공정 가스는 우수한 식각 성능을 제공하지만 높은 온난화 지수(GWP)를 가지므로, 환경 규제 강화와 탄소배출 저감 요구 속에서 대체 가스 개발 필요성이 커지고 있다. [1],[2]
이 보고서에서는 이러한 배경을 바탕으로 습식 식각, 기존 CF4 기반 건식 식각, 그리고 저 온난화 지수 대체 가스를 이용한 친환경 건식 식각 기술을 비교하고, 최근 연구 동향과 향후 발전 방향을 종합적으로 검토하고자 한다. 특히 식각 기술의 발전을 단순한 공정 비교가 아니라, 미세화 요구와 환경 규제 강화라는 두 축이 동시에 작용한 결과로 해석하고자 한다. [1],[2]
2. 습식 식각(Wet etching)의 원리와 특징
습식 식각은 액상 화학 용액과 피식각 재료 사이의 화학반응을 이용하여 물질을 제거하는 공정이다. 일반적으로 식각액 속 활성 화학종이 박막 표면과 반응하여 용해성 생성물을 형성하고, 이 생성물이 용액상으로 제거되면서 식각이 진행된다. 식각 속도는 용액 조성, 농도, 온도, 교반 조건, 반응 생성물의 확산 속도, 표면 상태 등에 의해 영향을 받는다. 이러한 방식은 산화막 제거, 희생층 제거, 세정, 일부 금속 제거, 대면적 박막 처리와 같은 공정에서 여전히 널리 활용된다.
습식 식각의 가장 큰 장점은 공정 단순성과 경제성이다. 진공 장비, 고주파 전원, 가스 공급 계통, 플라즈마 발생 장치와 같은 복잡한 기반 시설이 필요하지 않기 때문에 초기 설비 비용과 유지관리 부담이 비교적 낮다. 또한 여러 기판을 동시에 처리하기 쉬워 처리량이 높고, 대면적 기판에도 적용이 용이하다. 따라서 디스플레이 공정, 일부 미세가공 공정, 전처리 및 후처리 공정, 공정 개발 초기 단계에서는 여전히 실용성이 매우 높다.
그러나 습식 식각은 일반적으로 등방성(isotropy) 특성이 강하다는 본질적 한계를 가진다. 즉, 수직 방향뿐 아니라 측면 방향으로도 식각이 동시에 진행되기 때문에 마스크 아래쪽으로 식각이 퍼지는 옆파임이 발생하기 쉽다. 그 결과 실제 패턴 폭이 설계치보다 넓어질 수 있고, 미세 선폭 구조에서는 패턴 유지성이 저하될 수 있다. 또한 높은 종횡비 구조에서는 용액의 침투와 반응 생성물 제거가 충분히 이루어지지 않아 깊은 구조 내부에서 비균일 식각이 발생할 가능성도 존재한다. 따라서 습식 식각은 대면적, 저비용, 고처리량 공정에는 유리하지만, 정밀한 미세 패턴 형성과 수직 단면 제어가 핵심인 첨단 공정에서는 구조적 한계가 분명하다. [4]
결과적으로 습식 식각은 첨단 공정에서 사라지는 기술이라기보다, 역할이 재정의되는 기술로 보는 것이 타당하다. 즉, 모든 구조를 습식 식각으로 구현할 수는 없지만, 공정 목적이 단순한 선택 제거, 세정, 대면적 처리, 특정 막의 희생 제거에 있는 경우에는 여전히 높은 장점을 갖는다. 따라서 현대 반도체 및 디스플레이 제조 공정에서는 습식 식각과 건식 식각이 경쟁 관계라기보다는 상호 보완적인 관계에 있다고 정리할 수 있다.
3. 기존 CF4 기반 건식 식각(Conventional dry etching)의 원리와 특징
건식식각은 진공 환경에서 형성된 플라즈마를 이용하여 반응성 중성종과 하전 입자를 만들고, 이를 통해 고체 표면에서 화학적 반응과 물리적 제거를 동시에 유도하는 공정이다. 반응성 중성종은 표면과 반응하여 휘발성 생성물을 형성하고, 하전 입자는 표면 결합을 약화시키거나 얇은 보호막을 제거하며 방향성 있는 식각을 부여한다. 따라서 건식 식각의 본질은 화학적 반응성과 물리적 충돌 효과의 결합에 있다.
그림 2. 반응성 이온 식각 장비의 기본 구조 (출처:[7]의 Fig2.)
건식 식각은 구현 방식에 따라 플라즈마 식각, 반응성 이온 식각(RIE), 유도결합 플라즈마 반응성 이온 식각(ICP-RIE), 깊은 반응성 이온 식각, 원자층 식각(ALE) 등으로 구분된다. 이 가운데 반응성 이온 식각은 비교적 기본적인 방향성 식각 기술이며, 유도결합 플라즈마 반응성 이온 식각은 높은 플라즈마 밀도와 비교적 독립적인 이온 에너지 제어가 가능해 미세 패턴 형성에 널리 사용된다. 또한 원자층 식각은 흡착과 제거 단계를 분리하여 한 주기당 제거량을 정밀하게 제어할 수 있어 차세대 정밀 식각 기술로 평가받는다.[1]
기존 건식 식각에서 널리 사용된 대표 가스는 CF4, CHF3, C2F6, C4F8, NF3 등과 같은 플루오린계 가스들이다. 이들 가스는 플라즈마 내에서 플루오린 라디칼과 다양한 탄소-플루오린 조각종을 형성하여 산화막, 질화막, 실리콘, 금속 화합물 식각에 적합한 반응 환경을 제공한다. 특히 CF4 계열과 플루오린화탄소 계열 가스는 식각과 측벽 보호막 형성을 동시에 조절할 수 있어 절연막 식각에서 오랫동안 핵심적인 공정가스로 활용되어 왔다. [2],[3]
건식 식각의 가장 큰 장점은 높은 이방성(anisotropy)과 미세 치수 제어 능력이다. 플라즈마 쉬스 영역에서 가속된 이온은 주로 기판 수직 방향으로 입사하므로, 바닥면 중심의 식각이 유도된다. 반면 측벽은 상대적으로 이온 충돌이 적고 탄소계 보호막이 유지될 수 있어 측면 식각이 억제된다. 이로 인해 수직 측벽 형성, 좁은 선폭 유지, 높은 종횡비 구조 형성이 가능해지고, 이는 첨단 반도체 및 디스플레이 제조에서 건식 식각이 필수 기술이 된 가장 직접적인 이유이다. [1]
하지만 기존 건식 식각은 장점만을 가진 공정은 아니다. 공정 변수가 매우 많고, 플라즈마 손상, 전하 축적, 마스크 마모, 미세 홈 형성, 굽은 단면, 잔사 형성, 과도한 보호막 축적, 비균일성 등 다양한 결함 메커니즘이 존재한다. 특히 절연막 식각에서는 바닥 개방을 충분히 확보하면서도 측벽 보호막을 적절히 유지해야 하므로, 가스 조성, 고주파 전력, 바이어스 전력, 압력, 기판 온도, 가스 혼합 비율을 정밀하게 조절해야 한다. 다시 말해 기존 건식식 각은 단순히 성능이 우수한 식각법이 아니라, 서로 상충하는 변수들을 정밀하게 맞추는 고난도 공정 기술이라고 볼 수 있다. [1]
또한 기존 플루오린계 건식 식각 가스는 환경 측면에서 중요한 한계를 가진다. 반도체산업협회의 백서는 다수의 기존 식각 가스가 높은 온난화 지수를 가지며, 일부는 긴 대기 수명을 갖기 때문에 향후 저 온난화 지수 가스로의 전환이 필요하다고 정리한다. [2]
4. 저 온난화 지수(Low GWP) 대체 가스 기반 친환경 건식 식각
저 온난화 지수 대체 가스 기반 친환경 건식 식각은 기존 고 온난화지 수 플루오린계 가스를 대체하면서도 식각 성능을 유지하거나 일부 조건에서는 개선하려는 기술 흐름이다. 이 기술의 핵심은 단순한 가스 치환이 아니다. 새로운 가스는 충분한 식각 속도, 선택비, 이방성, 단면 형상 제어 능력, 잔사 억제 능력, 장비 호환성을 동시에 만족해야 하므로, 실제로는 공정 전체의 화학 반응 환경과 운전 조건을 다시 설계하는 문제에 가깝다. 최근 플라즈마 식각 전망 논문은 향후 식각 기술에서 정밀 제어와 더불어 지속가능성이 핵심 요구조건이 될 것이라고 강조하였다.[1]
이와 같은 배경에서 최근 연구들은 저 온난화 지수 플루오린계 전구체와 원자층 식각을 결합하는 방향으로 활발히 전개되고 있다. 대표적인 예가 C6F6를 이용한 SiO2 원자층 식각 연구이다. 2024년 발표된 연구는 기존에 널리 사용되던 C4F8 대신 C6F6를 적용하여 SiO2 원자층 식각을 수행하였고, 현장 타원계측 결과 두 가스 모두 각자의 원자층 식각 공정창을 가지지만 C6F6가 더 우수한 원자층 식각 거동을 보였다고 보고하였다. 또한 연구진은 전자 밀도, 라디칼 밀도, 플라즈마 전위 분석을 통해 가스별 플라즈마 화학 반응 차이가 식각 특성 차이로 이어진다고 해석하였다. [5]
그림 3. C4F8 및 C6F6 전구체 사용 시 deposition time에 따른 식각량 비교 (출처: [5]의 Fig.5.)
C4F8의 경우 gas flow rate 변화에 따라 etched amount의 포화 거동이 민감하게 달라지는 반면, C6F6는 두 조건 모두에서 안정적인 포화 거동을 나타낸다. 또한 C6F6의 etched amount는 C4F8보다 훨씬 작아 원자층 수준의 두께 제어에 유리하며, 저 온난화 지수 대체 가스로서의 가능성을 보여준다. [5]
질화규소 식각에서도 저 온난화 지수 대체 가스에 대한 연구가 진전되고 있다. 2025년 발표된 연구에서는 CHF3를 대체하기 위해 C2H2F4 및 C2H2F4+CF4O를 이용한 SiNx 식각 특성을 분석하였다. 이 연구에 따르면 C2H2F4를 사용할 경우 식각 속도와 SiNx/SiOx 선택비가 개선되었으나, 미세 홈 형성과 임계치수 증가가 동반되었다. 반면 C2H2F4+CF4O 혼합가스를 사용하면 플루오린 해리가 증가하고 중합체 생성이 줄어들어, 식각 속도와 선택비가 더 향상되고 미세 홈 문제가 완화되었다. 또한 온실가스 배출량 기준으로 C2H2F4는 CHF3 대비 약 83.9%, C2H2F4+CF4O는 약 75.2%의 저감 효과를 보였다고 보고되었다. [6]
이상의 연구들은 저 온난화 지수 가스가 단순히 친환경성을 위한 보조 수단이 아니라, 경우에 따라서는 기존 가스보다 더 적합한 반응 특성을 제공할 가능성도 있음을 보여준다. 특히 원자층 식각과 결합될 경우, 한 주기당 제거량을 정밀하게 제어하면서 불필요한 가스 사용량을 줄일 수 있어 환경성과 공정성을 동시에 향상시킬 여지가 크다. 따라서 친환경 건식 식각은 단순한 대체 가스 도입이 아니라, 공정 메커니즘과 장비 운전 전략을 함께 재설계하는 차세대 제조 기술로 이해할 수 있다. [1],[5],[6]
5. 관련 연구 동향 정리
최근 식각 기술 연구 동향은 크게 세 방향으로 정리할 수 있다. 첫째는 초미세화 대응이다. 소자 구조가 작아지고 복잡해질수록 식각 깊이 자체보다도 측벽 형상 유지, 계면 보존, 손상 억제, 미세 치수 유지가 더 중요해지고 있다. 이에 따라 기존 연속식 건식 식각보다 원자층 식각과 같은 정밀 제어 기술이 더욱 주목받고 있다.[1]
둘째는 결함 억제 중심의 연구 강화이다. 기존 건식 식각에서 문제되는 잔사, 플라즈마 손상, 전하 축적, 마스크 손상, 미세 홈 형성, 굽은 단면 등은 단순한 외관 문제가 아니라 소자 신뢰성과 전기적 특성에 직접 영향을 준다. 따라서 최근 연구들은 식각 결과만 비교하는 수준을 넘어, 플라즈마 진단과 표면 분석을 함께 수행하여 기체상 반응과 표면 반응을 동시에 이해하려는 방향으로 발전하고 있다. C6F6 기반 SiO2 원자층 식각 연구에서 전자 밀도, 라디칼 밀도, 플라즈마 전위를 함께 분석한 점은 이러한 흐름을 잘 보여준다.[5]
셋째는 지속가능성 대응이다. 최근 식각 연구에서는 식각 속도와 선택비뿐 아니라, 가스의 온난화지수, 온실가스 배출량, 배출 저감 장치 연계 가능성, 공정 전체 환경 부담까지 함께 검토하는 경향이 강화되고 있다. 반도체산업협회 백서는 플라즈마 식각 및 증착 분야에서 사용되는 플루오린계 물질의 대체가 단기간에 쉬운 문제가 아니라고 설명하면서도, 지속적인 전환과 감축 노력이 필요하다고 지적하였다.[2], [3]
표1. 기존 고 GWP 식각가스와 저 GWP 대체 가스의 비교
종합하면, 최근 연구 동향은 단순히 더 빠르게 깎는 기술을 찾는 데 있지 않다. 오히려 더 정밀하고, 더 선택적이며, 더 적은 결함을 만들고, 더 낮은 환경 부담을 갖는 식각 기술을 찾는 방향으로 전환되고 있다. 다시 말해, 식각 기술은 이제 단위공정 최적화의 범위를 넘어 제조 기술의 정밀성과 지속가능성을 동시에 만족해야 하는 다중 목표 기술로 발전하고 있다. [1]
이러한 연구 동향은 저 온난화 지수 대체 가스 기반 건식 식각이 단순한 개념 검토 단계를 넘어 실제 공정 적용 가능성을 평가하는 단계로 발전하고 있음을 보여준다. 다만 산업적 확산을 위해서는 여전히 해결해야 할 기술적 과제가 존재한다.
6. 기술적 한계와 향후 전망
저 온난화 지수 대체 가스 기반 친환경 건식 식각이 산업 현장에서 본격적으로 자리잡기 위해서는 몇 가지 기술적 과제가 해결되어야 한다. 첫째는 공정 성능 동등성 확보이다. 새로운 가스가 기존 CF4나 CHF3 계열 가스를 대체하려면 최소한 유사한 수준의 식각 속도, 선택비, 이방성, 임계치수 안정성, 잔사 제어 능력을 보여야 한다. 현재까지 발표된 연구들은 유망한 결과를 제시하고 있지만, 아직 모든 재료계와 모든 공정 조건에 대해 범용성을 확보했다고 말하기는 어렵다.[5], [6]
둘째는 장비 및 공정 기반과의 호환성이다. 새로운 가스는 단지 식각 특성만 우수하다고 해서 곧바로 생산라인에 적용될 수 없다. 가스 공급 계통, 챔버 재질, 부산물 응축 가능성, 진공 펌프 부하, 배출 저감 장치와의 연계성, 작업 안전성까지 함께 고려해야 한다. 반도체산업협회 백서는 대체가스 전환의 어려움이 단지 화학종 자체의 문제가 아니라, 장비와 공장 기반 시설 전체의 적응 문제와 연결된다고 설명한다. [2]
셋째는 반응 메커니즘에 대한 정밀 이해의 부족이다. 기존 고 온난화 지수 가스는 오랜 기간 산업적으로 사용되면서 많은 경험 자료와 공정 지식이 축적되어 있지만, 저 온난화 지수 대체 가스는 아직 상대적으로 자료 축적이 부족하다. 따라서 전자 밀도, 라디칼 조성, 표면 흡착, 보호막 형성, 부산물 휘발성, 기판 손상 메커니즘 등을 보다 체계적으로 이해할 필요가 있다. 이 때문에 최근 연구들은 광방출 분광, 질량 분석, 타원계측, 표면 분석 등을 결합한 정밀 진단을 중요하게 다루고 있다. [1], [5]
향후 전망 측면에서는 원자층 식각과 저 온난화 지수 대 체가스의 결합이 가장 유망한 방향 중 하나로 판단된다. 원자층 식각은 한 주기당 제거량을 정밀하게 제어할 수 있어 과도한 반응을 줄이고 기판 손상과 잔사를 억제하며 매우 작은 구조에서도 높은 재현성을 제공할 수 있다. 여기에 저 온난화 지수 가스를 적용하면 환경 부담을 낮추면서도 정밀도를 유지할 가능성이 높아진다. 다만 원자층 식각은 처리 시간이 길고 공정창이 좁을 수 있으므로, 실제 산업 적용에서는 대량 제거 공정과 정밀 마무리 공정을 분리하는 혼합형 전략이 현실적일 수 있다.[1], [5]
또한 앞으로는 자료 기반 공정 최적화의 중요성이 더욱 커질 것으로 예상된다. 플라즈마 식각은 다수의 상호작용 변수로 이루어진 비선형 공정이기 때문에, 실시간 공정 신호와 표면 분석 자료를 이용한 닫힌 고리 제어, 기계학습 기반 공정 조건 최적화, 예측 기반 공정 설계가 점점 더 중요한 방향이 될 가능성이 높다. 2024년 플라즈마 식각 전망 논문은 실험과 계산 접근의 통합, 공정 진단, 더 정교한 제어 기술의 결합이 향후 플라즈마 식각의 중요한 기회라고 보았다. [1]
7. 결론
습식 식각, 기존 CF4 기반 건식 식각, 그리고 저 온난화 지수 대체 가스 기반 친환경 건식 식 각은 서로 분리된 기술이 아니라, 반도체 및 디스플레이 식각 기술이 발전해 온 연속적인 흐름 안에서 이해할 수 있다. 습식 식각은 낮은 비용, 높은 처리량, 단순한 장비 구성이라는 장점으로 인해 여전히 유효한 공정이지만, 등방성 식각에 따른 옆파임과 정밀 형상 제어 한계로 인해 첨단 미세 패턴 형성에는 제약이 있다. 이에 반해 기존 건식 식각은 높은 이방성, 우수한 미세 치수 제어, 높은 종횡비 구조 대응 능력을 통해 현대 미세 가공의 핵심 기술로 자리잡았으나, 플라즈마 손상과 잔사 문제, 그리고 높은 온난화 지수 가스 사용이라는 구조적 한계를 함께 갖고 있다. [1], [2]
최근의 저 온난화 지수 대체 가스 연구는 이러한 한계를 동시에 완화하려는 차세대 기술 방향으로 평가된다. C6F6 기반 SiO2 원자층 식각과 C2H2F4 및 C2H2F4+CF4O 기반 SiNx 식각 연구는 기존 고 온난화 지수 가스를 대체하면서도 유의미한 식각 성능과 온실가스 저감 가능성을 보여주었다.[5], [6] 아직 산업 적용을 위해서는 장기 안정성, 장비 호환성, 부산물 관리, 공정 재현성 등 해결해야 할 과제가 남아 있지만, 식각 기술이 앞으로는 성능과 환경성을 동시에 요구받는 방향으로 발전할 것이라는 점은 분명하다. [1]
따라서 차세대 식각 기술의 핵심은 단순한 고속 식각이 아니라, 정밀한 제어, 높은 선택성, 낮은 손상, 낮은 잔사, 그리고 낮은 환경 부담을 동시에 만족하는 공정을 구현하는 데 있다. 향후 식각 기술은 원자층 식각, 저 온난화 지수 가스 화학, 실시간 공정 진단, 자료 기반 최적화가 융합되는 방향으로 발전할 가능성이 높으며, 이는 반도체 제조 기술이 단순한 성능 경쟁을 넘어 지속가능성 경쟁의 단계로 진입하고 있음을 보여준다. [1]
8. 참고 문헌
[1] Oehrlein, G. S., Metzler, D., Li, C., et al., “Future of plasma etching for microelectronics: Challenges and opportunities,” Journal of Vacuum Science & Technology B, 42(4), 041501, 2024.
[2] Semiconductor Industry Association, Semiconductor PFAS Consortium Plasma Etch and Deposition White Paper, 2023.
[3] Semiconductor Industry Association, Background on Semiconductor Manufacturing and PFAS, 2023.
[4] Romano, L., “Etching: The Art of Semiconductor Micromachining,” Micromachines, 16(2), 213, 2025.
[5] Seong, I., You, Y., Lee, Y., Choi, M., Sung, D., Yeom, G., You, S., “Plasma atomic layer etching of SiO2 with a low global warming potential fluorocarbon precursor (C6F6),” Journal of Vacuum Science & Technology A, 42, 032601, 2024.
[6] Kim, K. L., Hong, J. W., et al., “Effect of C2H2F4/CF4O with low global warming potentials on SiNx etching as a CHF3 replacement,” Scientific Reports, 15, 40517, 2025.
[7] Huff, M. Recent Advances in Reactive Ion Etching and Applications of High-Aspect-Ratio Microfabrication. Micromachines 2021, 12, 991. https://doi.org/10.3390/mi12080991
<저작권자(c)스마트앤컴퍼니. 무단전재-재배포금지>
