"높은 전력 밀도 및 디자인 용이성에 대한 파워 서플라이 설계자의 요구 해결해 줄 것"
파워 스테이지 듀얼 비대칭 MOSFETs, 최고의 출력 전류 용량 제공

파워 서플라이 엔지니어는 사용하는 공간의 양을 줄이고 전력 밀도를 증가시켜야 하는 두 가지 주요 과제를 지니고 있다. 이는 특히 노트북, PoL, 서버, 게임 및 통신장비 응용에 중요하다.
설계자의 이러한 과제해결을 돕기 위해, 고성능 전력 및 모바일 제품의 선도적인 글로벌 공급 업체인 페어차일드 반도체(www.fairchildsemi.com)는 파워 스테이지(Power Stage) 듀얼 비대칭 MOSFET 모듈인 FDMS36xxS 제품군을 개발했다.
양일수 페어차일드 반도체 MCCC korea 매니저는 "FDMS36xxS 제품군은 PQFN 패키지의 모놀리식(monolithic) 쇼트키 바디 다이오드 뿐만 아니라, 제어 및 동기식 MOSFET를 통합 한다. 스위치 노드는 내부적으로 쉬운 배치 및 동기식 벅 컨버터의 라우팅을 활성화 하게끔 연결되어 있다"며 "제어 MOSFET(Q1)과 동기식 MOSFET(Sync FET™)는 최대 30A의  출력 전류를 위해 최적의 전력 효율성을 제공하도록 설계 되었다. 이러한 장치들을 하나의 모듈로 통합함으로써, FDMS36xxS 제품은, 두 개 이상의 5m x 6mm PQFN, S08그리고 DPAK 패키지를 대체하여 실장공간을 줄일 수 있다"고 설명했다.
FDMS36XXS 제품군은 페어차일드의 첨단 charge-balanced 디바이스 아키텍쳐(Shielded Gate Technology)와 고성능 컴퓨터 설계에 필요한 항복전압에서 업계를 선도하는 2mOhm 이하의 로우 사이드 RDS(on)를 가능하게 하는 향상된 패키징 기술을 사용하여 설계 되었다. 이 제품군은 시점 부하 및 다중 위상 동기식 벅 DC-DC 응용을 위해 신뢰할 수 있는  최고의 전력 효율성을 제공하면서 300KHz에서 600KHz까지 스위칭 및 전도 손실의 조합을 최소화하기 위해 최적화 되었다.
파워 스테이지 듀얼 비대칭 MOSFET FDMS36xxS 제품군에 사용된 특유의 디바이스 아키텍쳐 및 매우 낮은 소스 인덕턴스 패키징 설계는 낮은 스위칭 노이즈, 높은 디자인 신뢰성, 다양한 디자인에 대한 낮은 민감도를 제공한다. 향상된 스위칭 노이즈 특성은 외부 snubber 또는 게이트 저항의 필요성을 없애서 설계 BOM 비용 및 추가적인 실장 공간을 줄일 수 있다.
양일수 매니저는 "파워 스테이지 솔루션인 페어차일드의 듀얼 비대칭 MOSET FDMS36xxS 제품군은 2개의 실리콘을 집적시킴으로써 듀얼 패키지화한 제품"이라며 "이는 High/Low 사이드로 분리되어 있는 솔루션이 기생성분 발생으로 인해 배터리 수명이 짧아지기도 하는데 비해, 패키지화된 파워 스테이지 솔루션은 기생성분을 없애주는 장점을 제공한다"고 설명했다.
FDMS36xxS 제품군 디바이스로는 현재 FDMS3602S 및 FDMS3604AS PowerTrench® 파워 스테이지 비대칭 듀얼N-channel MOSFETs을 포함한다. 마켓 리서치 및 고객요구에 따라 추가적인 디바이스가 더해질 것이다. FDMS36xxS 제품군은 RoHS 규격을 준수한다.
양일수 페어차일드 MCCC korea 매니저는 "듀얼 비대칭 파워스테이지 MOSFET 모듈은 파워 설계자들에게 중요한 고효율 정보 처리 설계를 위한 광범위한 솔루션을 제공하는 향상된 MOSFET 기술의 광범위한 포트폴리오의 일부"라며 "30A의 출력전류를 위해 최적의 전력효율성을 제공하고 있을 뿐만 아니라, 듀얼 비대칭 설계를 통해 풋프린트를 50% 절감할 수 있는 이득을 얻을 수 있다" 설명했다.


이재용 기자(hades@eucrastine.com)