MachXO2 PLD 제품군,저비용 저전력 설계에 대한 새로운 표준 제시

최대 30% 비용 절감, 100배 이상의 전력 감소 특성 … 저집적도 PLD 설계자를 위한 새로운 이점으로 부각[▼ Shantanu Dhavale 제품 마케팅 매니저]   

래티스 반도체(www.latticesemi.com)가 저집적도 PLD 설계자들에게 단일 디바이스에서 전례가 없는 저비용 저전력 특성과 높은 시스템 통합성을 제공하는 자사의 신형 MachXO2™ PLD 제품군을 발표했다.
MachXO2 제품군은 임베디드 플래시 기술을 특징으로 하는 저전력 65nm 공정에 기반하고 있으며, MachXO™ PLD 제품군 대비 3배 증가된 로직 밀도, 10배 증가된 임베디드 메모리, 10배 이상 감소된 정적 전력, 최대 30% 감소한 비용 등의 특성을 제공한다. Shantanu Dhavale 래티스 반도체 제품 마케팅 매니저는 “MachXO2 디바이스에서는 UFM(User Flash Memory), I2C, SPI, 타이머/카운터 등과 같이 저집적도 PLD 애플리케이션에서 사용되는 다양한 일반 기능들이 강화되어 제공되기 때문에 설계자들에게 대량생산과 관련하여 비용에 민감한 설계에 대해 ‘두-잇-올-PLD(Do-it-All-PLD)’를 제공한다”고 설명했다.
더글라스 헌터 부사장은 “래티스는 65nm 임베디드 플래시 기술을 사용함으로써 컴퓨팅, 산업, 통신 인프라스트럭처 시장 등에서 활동하는 우리의 전통적인 고객들을 위해 비용을 절감하고 기능성을 증대시키면서 이와 동시에 소비가전 기기 설계자들을 위해 전력소모를 극적으로 감소시키고 있다”며 “많은 고객들이 초기에 이미 MachXO2에 대한 평가를 마치고 다양한 애플리케이션에 대해 설계를 진행하고 있다”고 설명했다.
MachXO2 제품군은 유연성을 극대화하기 위해서 3가지 옵션을 제공한다. MachXO2 ZE 디바이스는 256에서 7K까지의 LUT(look-up table)를 제공하며, 1.2V의 전력공급에서 동작하며, 최대 60MHz까지의 시스템 성능을 지원한다. 최소 19uW로 지정된 전력과 최소 2.5mm x 2.5mm 크기의 패키지를 통해 MachXO2 ZE 디바이스는 스마트폰, GPS단말기, PDA 등과 같이 비용에 민감한 저전력 소비가전 설계 애플리케이션을 위해 최적화되었다.
MachXO2 HC 디바이스는 256에서 7K까지의 LUT를 제공하며, 3.3V또는 2.5V의 전력공급에서 동작하며, 최대 150MHz까지의 시스템 성능을 지원한다. 이들 디바이스들은 335개의 사용자 I/O와 설계 솔루션(인스턴트-온, 비휘발성 입력 히스테리시스, 단일칩)을 제공하기 때문에 통신 인프라스트럭처, 컴퓨팅, 산업, 의료 장비 등과 같은 분야의 제어 애플리케이션에 이상적이다.
Shantanu Dhavale 제품 마케팅 매니저는 “MachXO2 HE 디바이스는 2K에서 7K까지의 LUT를 제공하며, 1.2V의 전력공급에서 동작한다”며 “최대 150MHz까지의 시스템 성능을 지원합니다. 이들 디바이스들은 전력에 민감한 시스템 애플리케이션을 위해 최적화되었다”고 설명했다.