IDT와 e실리콘이 무선, 임베디드, 컴퓨팅 인프라를 위한 새로운 시스템 아키텍처의 성능에 대한 요구가 높아짐에 따라 차세대 RapidIO 스위치의 개발을 앞당기기 위해 협력한다.
양사는 RapidIO 10xN 사양 기반으로 포트 당 40 Gbps로 동작하는 RapidIO 스위치의 초기 연구와 개발에 힘을 모을 계획이다. 이번 협력을 통해 개발되는 스위치를 사용하면 차세대 무선 기지국, 클라우드 무선 접속망(radio access network, RAN), 모바일 엣지(mobile-edge) 컴퓨팅 등 여러 진화하는 통신업체 네트워크(carrier network) 제조사들이 데이터 사용량과 휴대용 기기 사용의 폭발적인 증가에 한발 앞서 대처할 수 있을 것으로 기대된다.
e실리콘의 잭 하딩(Jack Harding) CEO는 “설계에서부터 구현과 대량 생산에 이르기까지 양사의 R&D 협력은 차세대 RadioIO 제품 개발 시간을 단축해 더 큰 용량, 더 넓은 대역의 기지국과 통신업체 플랫폼에 대한 증가하는 수요에 대처해나갈 것”이라며 “e실리콘의 고속 SerDes 적용 및 주문제작 메모리 설계를 포함한 28나노 구현 전문 지식은 IDT 전문인 RapidIO 설계에서 부족한 부분을 잘 보완해줄 수 있을 것으로 기대한다”고 전했다.
한편 IDT의 포트 당 20 Gbps의 스위치 제품은 현재 DSP 클러스터링, 마이크로프로세서, 세계 전역에 설치된 기존의 3 G 및 4 G 기지국 내의
ASIC에서 사실상 인터커넥트 표준으로 자리 잡았다. 이번 협력을 통해 개발된 공동 제품은 기존의 스위치 및 브리지 제품군을 기반으로 하며 2015년 하반기에 선보일 계획이다.
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