국제반도체장비재료협회(이하, SEMI)가 발표한 ‘포토마스크 특성 요약 보고서에 따르면 2012년 32억 달러 규모였던 세계 반도체 포토마스크 시장이 2014년 35억 달러에 이를 것으로 전망했다.

포토마스트 시장은 2011년 최고점에 도달한 후 2012년에 4% 감소했다. 하지만 45 nm 이하의 최소 배선폭(feature size) 선진 기술과 아태지역의 생산량 증가로 올해 3%의 성장이 예상된다. 또한 대만은 3년 연속 최대 포토마스크 시장 지위를 차지했으며 앞으로도 1위 자리를 유지할 것으로 예상된다.
마스크 제조 장비 시장이 성장하고 있지만 긍정적이지만은 않다. 최첨단 제품을 생산할 수 있는 디바이스 제조업체 수가 줄고 있기 때문이다. 2012년 대규모로 23 nm 이하의 디바이스를 생산할 수 있는 제조업체는 6곳에 불과했다. SEMI의 팹 데이터베이스에 따르면 TSMC와 글로벌파운드리가 2012년 4분기에 가동할 것으로 보였던 23 nm 이하 디바이스는 올해 말에 생산할 수 있을 것으로 내다봤다.

산업 환경 변화로 시장 점유율 증가
포토마스크 산업이 자본 집약적으로 변화하면서 마스크 전문 업체들의 시장 점유율을 크게 증가할 것으로 나타났다. 마스크 전문 업체의 시장 점유율은 2006년 30%에서 현재 43%까지 증가했다. 극자외선(EUV) 개발이 지연되고 있지만 소자회사들은 193 nm 리소그래피를 20 nm 공정에 적용하는 데 성공했다. 대량 생산까지는 아직 추가 작업이 필요한 상태지만, 유도 자기 조립(directed self-assembly)에는 진전이 있었다. EUV는 소스 파워가 여전히 중요한 과제로 남아있다. 하지만 최근 인텔과 삼성, TSMC의 ASML에 대한 공동 투자와 ASML의 싸이머(Cymer) 인수 등으로 개발에 박차를 가하게 될 것으로 보인다. 소자회사들은 14 nm 및 10 nm 디바이스에 대한 유사한 리소그래피 로드맵을 유지하고 있다. 1X 공정을 위한 리소그래피 솔루션은 아직까지 출현하지 않았다. 나노임플란트(Nanoimplant)와 전자빔(ebeam)은 다소 진전을 보였지만, 처리속도 및 해상도와 같은 중요한 부분은 정체되어 있다. 디바이스 제조업체들은 획기적인 진전이 없는 상황에서 10 nm 디바이스를 위한 트리플(3번) 패터닝과 10 nm 이하의 최소 배선폭의 주요 레이어를 위한 쿼드러플(4번) 패터닝에 의존할 수밖에 없을 것으로 예상된다.  ES