고주파 DC-DC 스위칭 애플리케이션 용으로 높은 효율 제공하는 25V DirectFET 칩셋
세계적인 전력 관리 기술 회사인 인터내셔날 렉티파이어(IR)는 서버, 데스크톱, 노트북 등의 12V 입력 동기 벅 애플리케이션 용으로 동급 중 가장 우수한 효율을 제공하는 IRF6706S2PbF 및 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 칩셋을 출시한다고 밝혔다.
IR의 최신 세대 MOSFET 실리콘 기술을 채택한 IRF6706S2PbF 및 IRF6798MPbF 25V 칩셋은 업계에서 가장 앞선 FOM(figures of merit)에 DirectFET 패키지의 뛰어난 스위칭 및 열 특성을 결합함으로써 고주파 DC-DC 스위칭 애플리케이션에 적합한 솔루션을 제공한다.
IR의 엔터프라이즈 전력 사업부의 저전압 DirectFET 제품 경영 이사인 오마르 하센(Omar Hassen)은 “IR은 지속적으로 주요 파라미터를 향상시킴으로써 전력 MOSFET의 성능을 향상시켜 왔다. 새로운 IRF6706S2PbF와 IRF6798MPbF DirectFET 칩셋은 낮은 전하 및 낮은 RDS(on)과 업계에서 가장 낮은 게이트 저항을 특징으로 함으로써 통상적 동기 벅 컨버터의 동기 및 제어 소켓에 관련된 전도 손실 및 스위칭 손실을 최소화한다" 고 말했다.
IRF6798MPbF Medium Can DirectFET은 온상태 저항(RDS(on))이 1mΩ 미만이므로 전체적인 부하 범위에 걸쳐서 극히 높은 효율을 가능하게 한다. 이 새로운 디바이스는 모노리딕으로 통합된 쇼트키 다이오드를 특징으로 함으로써 바디 다이오드 전도에 따른 손실과 역 복구 손실을 낮춰 전체적인 솔루션의 성능을 더욱 향상시킨다. IRF6798MPbF 또한 게이트 저항(Rg)이 0.25mΩ 으로 극히 낮으므로 Cdv/dt 관련 슈트 쓰루(shoot-through)를 제거한다.
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