ORing 및 모터 구동 애플리케이션용으로 PQFN 패키지를 이용한 20V, 25V, 30V MOSFET
인터내셔날 렉티파이어는 전력 관리 기술의 세계적인 회사로서, 업계에서 가장 낮은 온저항(RDS(on))을 특징으로 한 IRFH6200 TRPbF를 포함한 HEXFET 전력 MOSFET 제품군을 내놓았다.
이 새로운 전력 MOSFET 제품군은 IR의 최신 실리콘 기술을 채택하고 최적화된 구리 클립 및 솔더 다이를 이용해 5mm×6mm PQFN 패키지로 제공되는 첫 디바이스다. IRFH6200 TRPbF 20V 디바이스는 4.5V Vgs로 RDS(on)가 업계에서 가장 앞선 1.2mOhm (max.)에 불과하므로 핸드 툴 등을 비롯한 DC 모터 구동 애플리케이션의 전도 손실을 크게 감소시킨다.
IR의 아시아지역 영업 부사장인 David Poon은 “MOSFET 기술의 축적된 경험과 계속적인 혁신에 힘입어서 IR은 끊임없이 성능을 향상시켜 왔으며, 최신 세대의 실리콘 기술과 PQFN 패키징 기술을 결합해서 업계에서 가장 낮은 RDS(on) 성능의 MOSFET 제품군을 내놓을 수 있게 되었다. IR의 제품 로드맵은 여기서 그치지 않고 수 개월에 걸쳐 고객의 요구에 부응하는 PQFN 벤치마크 MOSFET 제품군들을 추가로 내놓을 것”이라고 말했다.
25V IRFH5250TRPbF와 30V IRFH53 xxTRPbF 디바이스는 능동 ORing와 DC 모터 구동 애플리케이션을 비롯, 높은 전류 전달 성능과 높은 효율을 필요로 하는 DC 스위치 애플리케이션 용으로 설계된 것이다. IRFH5250 TRPbF는 1.15mOhm(max.)의 극히 낮은 RDS(on) 및 52nC에 불과한 게이트 전하(Qg)를 특징으로 하며, IRFH5300TRPbF 디바이스는 RDS(on)이 1.4mOhm(max.)에 불과하며 50nC Qg를 특징으로 한다.
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