인피니언, 다양한 산업용 애플리케이션에 적합한 새로운 CoolSiC 발표
  • 2022-04-21
  • 박종배 기자, jbpark@elec4.co.kr

인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 새로운 CoolSiC™ 기술인 CoolSiC™ MOSFET 1200V M1H를 발표했다.

첨단 실리콘 카바이드(SiC) 칩은 널리 사용되는 다양한 Easy 모듈 제품군에 적용될 뿐만 아니라 .XT 인터커넥트 기술을 적용한 디스크리트 패키지로도 제공될 것이다. 유연성이 뛰어난 M1H 칩은 태양광 에너지 시스템의 인버터같이 피크 요구를 충족해야 하는 애플리케이션뿐만 아니라 급속 EV 충전, 에너지 저장 시스템 및 다양한 산업용 애플리케이션에 적합하다.



CoolSiC 베이스 기술의 최신 발전은 더 큰 게이트 동작 범위를 가능하게 하여 주어진 다이 크기로 온 저항을 향상시킨다.

또한 더 큰 게이트 동작 범위는 높은 스위칭 주파수에서도 어떠한 제한 없이 게이트에서 드라이버나 레이아웃 관련 전압 피크에 대해 높은 견고성을 제공한다. M1H 칩 기술은 다양한 패키지 옵션으로 제공되므로 설계 엔지니어가 전력 밀도를 높이거나 애플리케이션 성능을 높이고자 하는 것에 따라서 적합한 제품을 선택할 수 있다.

널리 사용되는 Easy 제품군에 M1H를 적용해서 Easy 1B 및 2B 모듈을 더욱 향상시키게 되었으며, 새로운 1200V CoolSiC MOSFET을 적용한 Easy 3B 모듈도 출시 예정이다. 새로운 칩 크기를 추가함으로써 설계 유연성을 높이고 업계에서 가장 다양한 제품 포트폴리오를 제공하게 되었다. M1H 칩을 사용해서 모듈의 온 저항을 크게 향상시키고 디바이스 신뢰성과 효율을 높일 수 있게 되었다.

175°C의 최대 접합부 온도는 과부하 성능을 향상시킴으로써 전력 밀도를 높이고 결함에 대한 견고성을 높이도록 한다. 앞서 출시된 M1과 비교해서 M1H는 내부 RG를 포함하므로 스위칭 동작을 쉽게 최적화할 수 있으며, 동적 동작은 그대로이다.

CoolSiC MOSFET 1200V M1H 포트폴리오는 TO247-3과 TO247-4 패키지로 온 저항이 매우 낮은 7mΩ, 14mΩ, 20mΩ 디스크리트 제품들을 포함한다. 이들 디바이스는 디자인-인이 쉽고, -10V에 이르는 최대 네거티브 게이트-소스 전압이 가능하므로 게이트 전압 오버슈트 및 언더슈트에 있어서 유리하며, 애벌랜치(avalanche) 및 단락 회로 보호 기능을 포함한다.

인피니언의 .XT 인터커넥트 기술은 이미 D2PAK-7L 패키지에 적용되었으며, 이제 TO 풋프린트에도 적용된다. 이 기술은 표준 인터커넥션에 비해 열 방출 능력을 30퍼센트 이상 향상시킨다. 이 열적 이점은 출력 전력을 15퍼센트까지 높일 수 있다. 또는 스위칭 주파수를 높임으로써 전기차 충전, 에너지 저장, 태양광 시스템 등에서 수동 부품을 줄일 수 있으며, 그럼으로써 전력 밀도를 높이고 시스템 비용을 낮출 수 있다. 시스템 동작 조건을 바꾸지 않고서도 .XT 기술이 SiC MOSFET 접합부 온도를 낮추어 전원 사이클링 성능을 향상시키고 시스템 수명을 늘린다. 이  점은 서보 드라이브 같은 애플리케이션에서 중요하다.

 

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