마이크로칩테크놀로지(아시아 총괄 및 한국대표: 한병돈)는 최대 20GHz(기가헤르츠) 주파수를 지원하는 새로운 MMIC(단일마이크로파집적회로) 및 디스크리트 트랜지스터를 출시해 GaN RF 파워 디바이스 포트폴리오를 확장했다.

이들 디바이스는 PAE(전력부가효율) 및 고선형성을 결합해 5G에서 전자전(electronic warfare), 위성 통신, 상용 및 방위 레이더 시스템, 테스트 장비에 이르기까지 다양한 애플리케이션에서 뛰어난 성능을 제공한다.



마이크로칩의 여타 GaN RF 파워 제품과 마찬가지로, 해당 디바이스는 GaN-on-SiC(Silicon Carbide) 기술을 적용하였으며, 이를 통해 고전력 밀도 및 수율 측면에서 최상의 조합을 제공하고 255℃의 접합 온도에서 고전압 작동 및 100만 시간 이상의 수명을 제공한다.

해당 디바이스에는 2~18GHz, 12~20GHz 및 12~20GHz 범위에서 최대 20W의 P3dB(3dB 압축점) RF 출력 파워 및 최대 25%의 효율을 제공하는 GaN MMIC, PAE가 최대 60%인 S-밴드 및 X-밴드를 위한 베어(bare) 다이 및 패키지된 GaN MMIC 증폭기, DC~14GHz에서 최대 100W의 P3dB RF 출력 파워 및 최대 70%의 효율을 제공하는 디스크리트 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT) 디바이스가 포함된다.

마이크로칩의 디스크리트 제품 부문 부사장인 레옹 그로스(Leon Gross)는 “마이크로칩은 마이크로파에서 밀리미터 파장에 이르는 모든 주파수에서 모든 애플리케이션을 지원하기 위해 GaN RF 제품군에 지속적으로 투자하고 있다. 마이크로칩의 제품 포트폴리오에는 저전력 레벨에서 2.2kW까지 지원하는 50개 이상의 디바이스가 포함되어 있다. 새로 출시된 제품은 2~20GHz 범위에 걸쳐 있으며, 5G 및 기타 무선 네트워크에 채택된 고차 변조 기법으로 인해 발생하는 선형성 및 효율성 문제를 해결하고 위성 통신 및 방위 애플리케이션 고유의 요건을 충족하도록 설계됐다”고 말했다.

GaN 디바이스 외에도 마이크로칩의 RF 반도체 포트폴리오에는 GaAs(갈륨비소) RF 증폭기 및 모듈, 저소음 증폭기, 프론트엔드 모듈(RFFE), 버랙터(varactor), 쇼트키(Schottky), PIN 다이오드, RF 스위치, 전압 가변 감쇠기가 포함된다.

또한 마이크로칩은 고성능 표면탄성파(SAW) 센서, 미세전자기계시스템(MEMS) 오실레이터, 마이크로컨트롤러(MCU)를 Bluetooth®, Wi-Fi, LoRa® 등 주요 단거리 무선 통신 프로토콜을 지원하는 RF 트랜시버(Wi-Fi® MCU)와 결합한 고집적 모듈도 제공한다.