TI,고전류 DC/DC 애플리케이션의 온도를 낮추기 위해 패키지 상단의 열저항을 줄인 전력 MOSFET
  • 2010-03-03
  • 편집부

고전류 DC/DC 애플리케이션의 온도를 낮추기 위해 패키지 상단의 열저항을 줄인 전력 MOSFET



TI는 고전류 DC/DC 애플리케이션에서 패키지 상단을 통해 열을 소산시키는 업계 최초의 표준 풋 프린트 전력 MOSFET 제품군을 출시했다. DualCool™ NexFET™ 전력 MOSFET은 완제품의 크기를 줄이면서도 MOSFET을 통해 최대 50% 많은 전류를 제공하고 다른 표준 풋 프린트 패키지에 비해 향상된 열 관리 성능을 제공한다.
 이 새로운 제품군의 5개 NexFET 디바이스를 통해 컴퓨팅 및 통신 시스템 설계자는 보드 공간을 줄이면서도 확장 메모리와 함께 고 전류의 프로세서들을 구동할 수 있다. 첨단 패키지로 제공되는 이 MOSFET은 데스크톱 PC, 서버, 통신 및 네트워킹 장비, 기지국, 고전류 산업용 시스템 등과 같은 다양한 최종 애플리케이션에 사용될 수 있다.
TI의 전원관리 사업부 수석 부사장이자 월드와이드 매니저인 스티브 앤더슨은 “고객은 광범위한 인프라 시장에서 프로세싱을 위한 전력량의 증가가 필연적이며, 이를 위해 보다 작은 풋 프린트에서 보다 높은 전류를 제공하는 DC/DC 전원 공급 디바이스를 필요로 하고 있다.”며 “DualCool NexFET 전력 MOSFET는 동일한 폼팩터에서 보다 많은 전류를 전도시켜 이러한 요구를 충족시킨다.”고 말했다.
DualCool NexFET 전력 MOSFET의 주요 기능 및 장점은 다음과 같다.
- 고전류 DC/DC 애플리케이션의 상단/하단 스위치 모두에 단일 MOSFET을 사용하는 단상35A 동기식 벅 컨버터 MOSFET
- 강화된 패키징 기술을 통해 패키지 상단의 열저항 계수를 와트 당 10~15°C에서 1.2°C로 줄여서 전력소산 성능을 최대 80%까지 증대
- 효율적인 듀얼-사이드 히트싱크 기능은 FET를 통해 최대 50% 많은 전류를 지원하여 설계자가 완제품의 크기를 증가시키지 않으면서 고전류의 프로세서를 사용할 수 있도록 유연성 제공
- 5mm×6mm 풋 프린트의 업계 표준 SON 패키지는 2개의 표준 패키지를 사용하는 것에 비해 30mm2의 공간을 절감하여 설계를 간편화하고 낮은 비용 유지

 

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