인피니언 테크놀로지스, 전력 밀도와 시스템 효율을 향상시키는 OptiMOS™ 40V 및 60V 제품 출시
  • 2012-02-10
  • 편집부

인피니언 테크놀로지스는 신형 OptiMOS™ 40V 및 60V MOSFET 제품군을 출시했다. 이들 제품은 서버나 데스크톱 PC 같은 애플리케이션에서 SMPS의 동기 정류에 이용하도록 최적화 되었다. 또한 이들 제품은 모터 제어, 태양광 마이크로 인버터, 고속 스위칭 DC/DC 컨버터와 같은 다양한 산업용 애플리케이션에 이용하기에 매우 적합하다. 인피니언의 신형OptiMOS™ 40V 및 60V 제품은 가장 낮은 온 상태 저항과 최적화된 스위칭 동작으로 높은 효율 및 전력 밀도를 달성할 수 있도록 한다.
데이터 프로세싱 속도와 전력 요구가 계속해서 높아짐에 따라서 AC/DC 디자이너들은 시스템 효율과 전력 밀도는 향상시키면서 시스템 비용을 낮추어야 하는 과제에 직면해 있다. 인피니언의 신형 40V 및 60V MOSFET은 이와 같은 요구들을 동시에 충족할 수 있는 제품들이다.
인피니언 테크놀로지스의 저전압 전력 변환 부문의 리차드 쿤칙(Richard Kuncic) 선임 이사는 “인피니언은 1mOhm, 40V MOSFET을 SuperSO8 패키지로 공급하는 최초의 반도체 회사이다. 이로서 1,000W 서버 전원의 동기 정류에 필요한 MOSFET 수를 반으로 줄일 수 있게 되었다. 더 이상 병렬화가 필요하지 않으며 전력 밀도를 크게 향상시킬 수 있다.”고 말했다.
태양광 애플리케이션은 고성능 반도체 부품을 통해 큰 이점을 얻는다. 전력 최적화기의 벅/부스트나 마이크로 인버터의 공진 풀 브리지 같은 통상적인 태양광 토폴로지에서는 RDS(on)과 스위칭 특성이 매우 중요하다. SuperSO8(5mm x 6mm)로 제공되는 인피니언의 신형 60V 제품군인 BSC016N06NS 를 사용하면 20퍼센트 부하 조건일 때 태양광 마이크로 인버터의 효율을 1.5퍼센트 더 높일 수 있다.
인피니언의 혁신적인 박막 웨이퍼 기술을 적용한 OptiMOS™ 40V 및 60V 제품군은 경쟁 디바이스 대비 35퍼센트 낮은 RDS(on)과 낮은 게이트 전하로 45퍼센트 낮은 FOM(Figure of Merit, RDS(on)×Qg)을 제공한다. 따라서 서버 전원의 이차측 정류부에 이들 제품을 이용하면 전력 손실을 10퍼센트까지 낮출 수 있다.
1mOhm 및 1.4mOhm 40V SuperSO8 디바이스에 쇼트키와 유사한 다이오드를 통합함으로써 동기 정류 애플리케이션에서 역 회복 전하(Qrr)를 낮추어주며, 따라서 전도 손실을 낮추고 효율을 높여준다. 또한 전압 오버슈트를 크게 낮추어 스너버 회로의 필요성을 줄였으며, 따라서 엔지니어링 비용과 작업 시간을 절약할 수 있다.

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