인피니언 테크놀로지스는 차량 등급의 100% 무연 전력 MOSFET를 TO 패키지 타입으로 출시했다. 인피니언의 박막 웨이퍼 공정 기술을 통합한 신형 40 V OptiMOS™ T2 전력 MOSFET는 확산 솔더링 다이 부착 방식을 사용하여 TO-220, TO-262, TO-263 등을 포함한 무연 패키지로 제공된다. 2014년 이후로 시행이 유보돼 있는 보다 엄격한 ELV RoHS 지침은 100% 무연 패키징을 요구하고 있다.
인피니언의 특허기술인 무연 다이 부착(칩과 패키지 리드프레임 사이의 인터커넥션)은 확산 솔더링 접근법을 사용하여 전기 및 열 성능, 제조 용이성, 품질 등을 향상시킬 수 있도록 지원한다. 이 기술을 인피니언의 박막 웨이퍼 공정(표준 175 μm 대비 60 μm)과 결합함으로써 전력 반도체를 다음과 같이 다양하게 개선할 수 있었다.
- 납과 다른 독성 물질을 전혀 사용하지 않기 때문에 환경친화적 기술이다.
- 확산 솔더링 다이 부착 공정과 박막 웨이퍼 기술을 통합함으로써 디바이스의 RDS(on)이 대폭 감소된다.
- 열 저항(RthJC)이 최대 40%에서 50%까지 향상된다.
- 솔더 흡출과 칩 기울어짐이 없기 때문에, 제조 용이성이 향상되고 제품 내에서 전기-기계적 응력이 감소되어 최종적으로 신뢰성과 품질이 향상된다.
신형 OptiMOS T2 40 V의 사양은 160 A를 제공하는 IPB160N04S4-02D의 경우에 2.0 mΩ의 RDS(on), 0.9 K/W의 RthJC를 제공한다.
표준 납-기반 다이 부착 솔더링을 사용하는 관련 디바이스에 비해 온-저항이 약 20% 가량 적다. 또한 특허기술인 확산 솔더링 기법은 ‘칩-투-리드프레임’ 열저항을 낮춘다.
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