파나소닉, 광전도막 CMOS이미지 센서를 적용한 신호 대 잡음비123dB의 동시 포착 광역 역광보정 기술 개발
  • 2016-02-11
  • 편집부

파나소닉 코퍼레이션(Panasonic Corporation)이 유기 광전도막(organic photoconductive film, OPF) 을 적용한 상보성 금속산화막 반도체(CMOS) 이미지 센서를 사용하여 동시 포착 광역 역광보정(simultaneous-capture wide-dynamic range)을 기존의 보정 범위 보다 100배 넓힐 수 있는 새로운 광역 역광보정(wide-dynamic-range) 기술을 개발했다고 발표했다. OPF CMOS 이미지 센서를 채용하면 전하 충전 기능과 광전 변환(photoelectric-conversion) 기능을 각기 독립적으로 설정할 수 있다. OPF CMOS 이미지 센서의 이 같은 특성을 활용하면 밝은 상황에서 움직이는 피사체에 대한 시간 왜곡 없이 과다 노출을 방지할 수 있다. 또한 어두운 상황에서도 또렷하고 질감이 풍부한 이미지를 재생할 수 있다. 이러한 기술은 명암 대비가 큰 장면의 이미지를 고속으로 정밀도가 높게 촬영할 수 있게 한다.

이번에 새로 개발한 광역 역광보정 기술은 명암 대비가 큰 상황(배경 조명을 받는 장면이나 스튜디오 조명이 있는 상황)에서도 이미지를 정확히 형성하고 보다 풍부한 색조로 재생할 수 있게 한다. 또한 각기 다른 시간에 촬영하여 노출이 다양한 데이터를 합성할 필요가 없기 때문에 움직이는 피사체의 이미지를 고속으로 정확히 형성할 수 있다. 따라서 이 기술은 이미지를 고속으로 매우 정밀하게 형성 및 감지하고 광역 역광보정이 가능하게 한다.  

 
신기술은 다음과 같은 장점이 있다.

1. OPF는 그 특성 상 광전 변환 용 OPF와 판독 회로가 각기 독립되어 있기 때문에 입사각이 넓고(60도), 민감도와 채도가 높으며 회로의 성능이 매우 우수하다.

2. 회사가 독자 개발한 “동시 포착 구조”를 적용했기 때문에 기존의 칩 크기를 유지하면서 동시 포착 광역 역광보정 신호 대 잡음비가 123dB이다(일반 실리콘 이미지 센서 보다 100배 더 넓다).

이번에 개발한 광역 역광보정 기술에는 다음과 같은 기술이 포함된다.

1. 광전 변환 부분과 회로 부분을 독립적으로 디자인할 수 있는 OPF CMOS이미지 센서 디자인 기술(OPF CMOS Image Sensor Design Technology).

2. 동시 포착 광역 역광보정을 구현하기 위해 설정하여 민감성 있는 OPF CMOS이미지 센서의 높은 채도와 유연성을 활용한 두 개의 민감도 감지 셀(하나는 밝은 것을 감지하고 다른 하나는 어두운 것을 감지)이 각 화소에 있는 2중 민감도 화소 기술(Dual-Sensitivity Pixel Technology).

3. 어두운 피사체를 촬영할 때 신호 대 잡음(S/N)[3특성을 개선하기 위해 화소 재설정 잡음을 감쇄할 수 있는 축전 결합형 노이즈 캔슬러(잡음 감쇄) 기술(Capacitive-Coupled Noise Canceller Technology).

파나소닉은 이 기술과 관련하여 일본에서 58개, 해외에서 44개의 특허(출원중인 특허 포함)를 보유하고 있다.

파나소닉은 이들 기술 중 일부를 샌프란시스코에서 2016년1월31일~2월4일 열린 2016 국제고체회로학회(International Solid-State Circuit Conference, ISSCC) 학술 회의에서 발표했다.

 

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